A2I09VD015N|575-960 MHz, 2 W Avg, 48 V | NXP Semiconductors

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575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V Airfast®Wideband Integrated RF LDMOS Amplifier

A2I09VD015N 生産終了 (EOL)
The A2I09VD015N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 575 to 960 MHz. This multi-stage structure is rated for 48 to 55 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats.

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Features

  • On-chip matching (50 ohm input, DC blocked)
  • Integrated quiescent current temperature compensation with enable/disable function
  • Designed for digital predistortion error correction systems
  • Optimized for Doherty applications
  • RoHS compliant

RF Performance Table

900 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: VDD = 48 Vdc, IDQ1(A+B) = 16 mA, IDQ2(A+B) = 84 mA, Pout = 2 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF. (1)
Frequency Gps
(dB)		 PAE
(%)		 ACPR
(dBc)
920 MHz32.919.3–45.9
940 MHz33.019.7–45.5
960 MHz32.819.6–44.9
1. All data measured in fixture with device soldered to heatsink.

購入/パラメータ

2 結果

除外 2 NRND

パーツ

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注文

コンピュータ支援設計 モデル

状況

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

ダイ技術

A2I09VD015GN
データ・シート

生産終了 (EOL)

575

960

48

42.7

18.5

LDMOS

A2I09VD015N
データ・シート
—

生産終了 (EOL)

575

960

48

42.7

18.5

LDMOS

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フィルタ

2 設計・ファイル

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