MD8IC925N|728-960 MHz, 2.5 W Avg, 28 V

製品詳細

Features

Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters and Common Source S-Parameters
On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
Integrated ESD Protection
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
Optimized for Doherty Applications
225°C Capable Plastic Package
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

Driver Application - 900 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ1(A+B) = 58 mA, I_DQ2(A+B) = 222 mA, Pout = 2.5 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
920 MHz	36.2	17.5	–48.9
940 MHz	36.2	17.4	–49.5
960 MHz	36.1	17.3	–49.1

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 25 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 26 Watts CW

Driver Application - 700 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ1(A+B) = 58 mA, I_DQ2(A+B) = 222 mA, Pout = 2.5 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
728 MHz	36.4	17.2	–48.9
748 MHz	36.4	17.6	–49.7
768 MHz	36.4	17.9	–50.5

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 10 ドキュメント

データ・シート
MD8IC925N 728-960 MHz, 2.5 W Avg., 28 V Data Sheet

PDF改訂 1Sep 8, 2016827.0 KBMD8IC925N
アプリケーション・ノート
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
アプリケーション・ノート
Effective Small Cell Solutions for MIMO Radios

PDF改訂 0Jan 15, 2017273.2 KBAN5296
アプリケーション・ノート
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
アプリケーション・ノート
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 0Mar 12, 2009449.7 KBAN3789
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF改訂 1May 12, 2004140.7 KBAN1987
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF改訂 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977
パッケージ情報
98ASA10650D, TO, 17.65x9.25x2.59, Pitch 0.36, 14 Pins

PDF改訂 BMar 18, 201672.7 KBSOT1720-2
パッケージ情報
98ASA10653D, TO, 17.6x9.3x2.59, Pitch 1.02, 14 Pins

PDF改訂 BFeb 26, 201677.4 KBSOT1720-3
ホワイト・ペーパ
Advances in Airfast RFICs White Paper

PDF改訂 0May 15, 2015167.4 KBAIRFASTWBFWP

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
MD8IC925N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00790.2 KBMD8IC925N_MDL_ADS

アカウントが必要です
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電卓
MD8IC925NR1, MD8IC925GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0May 30, 2013 00:00:0030.7 KBMD8IC925N_MTTF_CALC

アカウントが必要です
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728-960 MHz, 2.5 W Avg., 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

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Features

RF Performance Tables

Driver Application - 900 MHz

Driver Application - 700 MHz

購入/パラメータ

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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MD8IC925N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MD8IC925NR1, MD8IC925GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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