1930～1995 MHz、平均85 W、48 V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

A5G19H605W19N アクティブ

画像にカーソルを合わせると拡大表示されます。

この85 W非対称ドハティRFパワーGaNトランジスタは、1930～1995 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

このパーツは、1930～1995 MHz帯域を使用するアプリケーションに合わせた特性を備え、性能が保証されます。これ以外の周波数が想定されているアプリケーションでは性能が保証されません。

製品詳細

特長

  • 高い端子インピーダンスによる最適な広帯域性能
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 次世代信号により、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • 非常に高い出力VSWRおよび広帯域の動作条件に対応
  • プラスチック・パッケージ
  • RoHS準拠

RF性能表

1900 MHz

ドハティ・シングルキャリアW-CDMA製品テスト設備での標準性能：VDD = 48 Vdc、IDQA = 300 mA、VGSB = –5.0 Vdc、Pout= 85 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）(1)

周波数 Gps (dB) ηD 出力PAR (dB) ACPR (dBc)
1930 MHz 16.3 54.3 8.9 -29.2
1960 MHz 16.7 55.1 8.6 –30.2
1995 MHz 17.0 55.7 8.2 -31.2

1. デバイスをNXP製品テスト設備にはんだ付けした状態での計測データです。

購入/パラメータ

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌
‌

‌
‌
‌
‌
‌
‌
N true 0 PSPA5G19H605W19Nja 4 アプリケーション・ノート Application Note t789 2 データ・シート Data Sheet t520 1 ファクト・シート Fact Sheet t523 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 1 English A5G19H605W19N 1930–1995 MHz, 85 W Avg, 48 V Airfast<sup>&reg;</sup> RF power GaN transistor for cellular base stations 1711066073785726153904 PSP 496.7 KB None None documents None 1711066073785726153904 /docs/en/data-sheet/A5G19H605W19N.pdf 496695 /docs/en/data-sheet/A5G19H605W19N.pdf A5G19H605W19N documents N N 2024-03-21 A5G19H605W19N 1930–1995 MHz, 85 W Avg, 48 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5G19H605W19N.pdf /docs/en/data-sheet/A5G19H605W19N.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2024-03-22 pdf N en Mar 20, 2024 980000996212993340 Data Sheet Y N A5G19H605W19N 1930–1995 MHz, 85 W Avg, 48 V Data Sheet アプリケーション・ノート Application Note 2 2 2 English This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. 1075398872032723970051 PSP 235.5 KB None None documents None 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 235468 /docs/en/application-note/AN1955.pdf AN1955 documents N N 2016-11-09 Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf /docs/en/application-note/AN1955.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en Jul 11, 2024 645036621402383989 Application Note Y N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 3 3 English I989356375600 PSP 910.7 KB None None documents None I989356375600 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 910737 /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 documents N N 2016-11-09 AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf /docs/en/application-note/AN1907.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en May 13, 2009 645036621402383989 Application Note Y N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages ファクト・シート Fact Sheet 1 4 0 English NXP’s RF power macro GaN portfolio of high power RF transistors designed for Remote Radio Heads (RRH) in cellular base stations. 1715966462702716336843 PSP 1.4 MB None None documents None 1715966462702716336843 /docs/en/fact-sheet/MACROGANFS.pdf 1360062 /docs/en/fact-sheet/MACROGANFS.pdf MACROGANFS documents N N 2024-05-17 RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet /docs/en/fact-sheet/MACROGANFS.pdf /docs/en/fact-sheet/MACROGANFS.pdf Fact Sheet N 736675474163315314 2024-05-17 pdf N en May 16, 2024 736675474163315314 Fact Sheet Y N RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet false 0 A5G19H605W19N downloads ja true 1 Y PSP アプリケーション・ノート 2 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 2016-11-09 1075398872032723970051 PSP 2 Jul 11, 2024 Application Note This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. None /docs/en/application-note/AN1955.pdf English documents 235468 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1955.pdf Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 2 N N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 235.5 KB AN1955 N 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 2016-11-09 I989356375600 PSP 3 May 13, 2009 Application Note None /docs/en/application-note/AN1907.pdf English documents 910737 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 3 N N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages 910.7 KB AN1907 N I989356375600 データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/A5G19H605W19N.pdf 2024-03-21 1711066073785726153904 PSP 1 Mar 20, 2024 Data Sheet A5G19H605W19N 1930–1995 MHz, 85 W Avg, 48 V Airfast<sup>&reg;</sup> RF power GaN transistor for cellular base stations None /docs/en/data-sheet/A5G19H605W19N.pdf English documents 496695 None 980000996212993340 2024-03-22 N /docs/en/data-sheet/A5G19H605W19N.pdf A5G19H605W19N 1930–1995 MHz, 85 W Avg, 48 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5G19H605W19N.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 1 N N A5G19H605W19N 1930–1995 MHz, 85 W Avg, 48 V Data Sheet 496.7 KB A5G19H605W19N N 1711066073785726153904 ファクト・シート 1 /docs/en/fact-sheet/MACROGANFS.pdf 2024-05-17 1715966462702716336843 PSP 4 May 16, 2024 Fact Sheet NXP’s RF power macro GaN portfolio of high power RF transistors designed for Remote Radio Heads (RRH) in cellular base stations. None /docs/en/fact-sheet/MACROGANFS.pdf English documents 1360062 None 736675474163315314 2024-05-17 N /docs/en/fact-sheet/MACROGANFS.pdf RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet /docs/en/fact-sheet/MACROGANFS.pdf documents 736675474163315314 Fact Sheet N en None Y pdf 0 N N RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet 1.4 MB MACROGANFS N 1715966462702716336843 true Y Products

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

4 ドキュメント

コンパクトリスト

アプリケーション・ノート (2)
データ・シート (1)
ファクト・シート (1)

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.
フィルタ

4 設計・ファイル

サポート

お困りのことは何ですか？?

  • Narrow your search
検索