A2I09VD030N|575-1300 MHz, 4 W Avg, 48 V | NXP Semiconductors

575-1300 MHz, 4 W Avg., 48 V Airfast®Wideband Integrated RF LDMOS Amplifier

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Features

  • On-chip matching (50 ohm input, DC blocked)
  • Integrated quiescent current temperature compensation with enable/disable function
  • Designed for digital predistortion error correction systems
  • Optimized for Doherty applications
  • RoHS compliant

RF Performance Tables

900 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 48 Vdc, IDQ1(A+B) = 46 mA, IDQ2(A+B) = 154 mA, Pout = 4 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

700 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 48 Vdc, IDQ1(A+B) = 50 mA, IDQ2(A+B) = 150 mA, Pout = 4 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

購入/パラメータ

2 結果

マッチしていない 0 NRND

注文

コンピュータ支援設計 モデル

状況

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

ダイ技術

アクティブ

575

1300

48

46.1

40.5

LDMOS

アクティブ

575

1300

48

46.1

40.5

LDMOS

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

7 ドキュメント

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アプリケーション・ノート (3)
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