A3T18H360W23S|1805-1880 MHz, 63 W Avg, 28 V

A3T18H360W23S|1805-1880 MHz, 63 W Avg, 28 V | NXP Semiconductors

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A3T18H360W23S

The A3T18H360W23S 63 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Designed for wide instantaneous bandwidth applications
Greater negative gate-source voltage range for improved class C operation
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

1800 MHz

Typical Doherty single-carrier W-CDMA performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 700 mA, V_GSB = 0.6 Vdc, P_out = 63 W Avg., input signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	16.3	52.8	7.7	–30.3
1840 MHz	16.6	52.3	7.6	–31.7
1880 MHz	16.6	51.6	7.5	–32.8

購入/パラメータ

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A3T18H360W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0May 26, 201740.2 KBA3T18H360W23S-Peaking-Class-C

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シミュレーションとモデル
A3T18H360W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0May 26, 201740.2 KBA3T18H360W23S-Peaking-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A3T18H360W23S Carrier S-Parameters

S2P改訂 0May 26, 201740.2 KBA3T18H360W23S-Carrier

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プリント基板と回路図
A3T18H360W23S 1800 MHz PCB dxf file

ZIP改訂 2May 26, 201799.2 KBA3T18H360W23S-1800-PCB

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電卓
A3T18H360W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jul 6, 201781.1 KBA3T18H360W23S_MTTF_CALC

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ショッピング・カート

1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

1800 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3T18H360W23S 1805-1880 MHz, 63 W Avg, 28 V Data Sheet[A3T18H360W23S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

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アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3T18H360W23S 1805-1880 MHz, 63 W Avg, 28 V Data Sheet[A3T18H360W23S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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A3T18H360W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T18H360W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T18H360W23S Carrier S-Parameters

A3T18H360W23S 1800 MHz PCB dxf file

A3T18H360W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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絞り込み

A3T18H360W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T18H360W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T18H360W23S Carrier S-Parameters

A3T18H360W23S 1800 MHz PCB dxf file

A3T18H360W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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