完全な内訳を受け取ります。 eCad ファイルで製品のフットプリントなどを確認してください。
728-2700 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor
- このページでは、新規設計を推奨しない製品に関する情報を掲載しています。
The AFT27S012NT1 1.26 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 728 to 2700 MHz.
RF ISO PLD-1.5W Package Image
製品詳細
Features
- Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Universal broadband driven device with internal RF feedback
- RoHS compliant
RF Performance Table
2100 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 90 mA, Pout = 1.26 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.(1)| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
IRL (dB) |
| 2110 MHz | 20.8 | 22.0 | 9.8 | –41.1 | –9 |
| 2140 MHz | 20.9 | 22.6 | 9.6 | –40.7 | –10 |
| 2170 MHz | 20.9 | 22.8 | 9.4 | –40.8 | –10 |
| 2200 MHz | 20.8 | 22.9 | 9.3 | –40.4 | –9 |
購入/パラメータ
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 ドキュメント
コンパクトリスト
アプリケーション・ノート (1)
エンジニアリング・ブリテン (1)
データ・シート (1)
パッケージ情報 (1)
設計・リソース
