A2I09VD030N|575-1300 MHz, 4 W Avg, 48 V

The A2I09VD030N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 575 to 1300 MHz. This multi-stage structure is rated for 48 to 55 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

On-chip matching (50 ohm input, DC blocked)
Integrated quiescent current temperature compensation with enable/disable function
Designed for digital predistortion error correction systems
Optimized for Doherty applications
RoHS compliant

部品番号： A2I09VD030G, A2I09VD030N.

RF Performance Tables

900 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQ1(A+B) = 46 mA, I_DQ2(A+B) = 154 mA, Pout = 4 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
920 MHz	34.4	19.9	–45.0
940 MHz	34.5	20.0	–44.6
960 MHz	34.3	19.8	–44.3

700 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQ1(A+B) = 50 mA, I_DQ2(A+B) = 150 mA, Pout = 4 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
728 MHz	30.9	19.6	–44.7
748 MHz	31.1	19.5	–45.5
768 MHz	31.2	19.3	–46.2

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 7 ドキュメント

^{データ・シート}
A2I09VD030N 575-1300 MHz, 4 W Avg, 48 V Data Sheet

PDF改訂 2Oct 13, 2022498.4 KBA2I09VD030N, 中文
^{アプリケーション・ノート}
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
^{アプリケーション・ノート}
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF改訂 1May 12, 2004140.7 KBAN1987
^{アプリケーション・ノート}
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF改訂 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977
^{エンジニアリング・ブリテン}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212
^{パッケージ情報}
98ASA00684D, TO-270WBG-15, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 16 Pins

PDF改訂 AMar 11, 201684.9 KBSOT1722-3
^{パッケージ情報}
98ASA00630D, TO-270WB-15, 17.53x9.02x2.59, Pitch 3.05, 16 Pins

PDF改訂 AFeb 15, 201680.2 KBSOT1722-1

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5 の 7 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
A2I09VD030N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Sep 20, 2016 00:00:005.8 MBA2I09VD030N_MDL_AWR
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^{シミュレーションとモデル}
A2I09VD030N, A2I09VD030GN S-Parameters

S2P改訂 0Dec 16, 2016 18:02:0015.8 KBA2I09VD030N-SP
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^{シミュレーションとモデル}
A2I09VD030N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:001.2 MBA2I09VD030N_MDL_ADS
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^{プリント基板と回路図}
A2I09VD030N PCB DXF file

ZIP改訂 1Dec 16, 2016 19:52:00817.0 KBA2I09VD030N-PCB
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^電卓
A2I09VD030N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jul 6, 2017 00:00:00104.5 KBA2I09VD030N_MTTF_CALC
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575-1300 MHz, 4 W Avg., 48 V Airfast®Wideband Integrated RF LDMOS Amplifier

製品詳細

Features

RF Performance Tables

900 MHz

700 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

A2I09VD030N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

A2I09VD030N, A2I09VD030GN S-Parameters

A2I09VD030N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2I09VD030N PCB DXF file

A2I09VD030N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

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