MW7IC915N|728-960 MHz, 1.6 W Avg, 28 V

The MW7IC915N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 698 to 960 MHz. This multi-stage structure is rated for 26 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base station modulation formats.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters and Common Source S-Parameters
On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
Integrated ESD Protection
RoHS Compliant
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 16 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

800 MHz

Typical Single-Carrier W–CDMA Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ1 = 52 mA, I_DQ2 = 134 mA, Pout = 1.6 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
865 MHz	37.9	17.1	–50.4
880 MHz	38.0	17.4	–50.6
895 MHz	37.8	17.5	–51.3

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, Pout = 23.5 Watts CW (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below –60 dBc @ 30 to 41.5 dBm CW Pout.
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 15.5 Watts CW

700 MHz

Typical Single-Carrier W–CDMA Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ1 = 50 mA, I_DQ2 = 144 mA, Pout = 1.6 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
728 MHz	37.8	17.2	–49.5
748 MHz	37.8	17.3	–50.5
768 MHz	37.7	17.3	–51.4

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 6 ドキュメント

データ・シート
MW7IC915NT1 728-960 MHz, 1.6 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier - Data Sheet

PDF改訂 2Dec 16, 2013625.4 KBMW7IC915N
アプリケーション・ノート
PCB Layout Guidelines for PQFN/QFN Style Packages Requiring Thermal Vias for Heat Dissipation - AN3778

PDF改訂 0Feb 26, 2010632.0 KBAN3778
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF改訂 1May 12, 2004140.7 KBAN1987
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF改訂 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977
パッケージ情報
98ASA10760D, PQFN-EP, 8.0x8.0x2.1, Pitch 0.8, 24 Pins

PDF改訂 BMar 21, 201644.4 KBSOT1664-1
ホワイト・ペーパ
Advances in Airfast RFICs White Paper

PDF改訂 0May 15, 2015167.4 KBAIRFASTWBFWP

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 7 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MW7IC915N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:001.2 MBMW7IC915N_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
MW7IC915NT1 S-Parameters

S2P改訂 0Sep 9, 2009 00:00:00120.0 KBMW7IC915N_SP

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シミュレーションとモデル
MW7IC915NT1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jul 22, 2011 00:00:002.1 MBMW7IC915N_MDL_AWR

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プリント基板と回路図
MW7IC915NT1 CAD DXF File

ZIP改訂 2cSep 16, 2010 00:00:0035.2 KBMW7IC915N_DXF_PCB

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電卓
MW7IC915NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 0Mar 24, 2010 00:00:0035.3 KBMW7IC915N_MTTF_CALC

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728-960 MHz, 1.6 W Avg., 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

製品詳細

Features

RF Performance Tables

800 MHz

700 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

設計・リソース

デザイン・ファイル

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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MW7IC915N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MW7IC915NT1 S-Parameters

MW7IC915NT1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MW7IC915NT1 CAD DXF File

MW7IC915NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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