A5G26S004N | 2300～2690 MHz、24 dBm平均、48 V | NXP Semiconductors

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2300～2690 MHz、24 dBm平均、48 V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

A5G26S004N
アクティブ

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この24 dBm RFパワーGaNトランジスタは、2300～2690 MHzの周波数範囲を対象とするセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

製品詳細

特長

  • 高い端子インピーダンスによる最適な広帯域性能
  • 複雑性の低いデジタル線形化システム向けに設計
  • ユニバーサル広帯域ドライバ
  • 5G基地局用のマッシブMIMOアクティブ・アンテナ・システム向けに最適化
  • RoHS準拠

RF性能表

2600 MHz

シングルキャリアW-CDMAリファレンス回路での標準性能：VDD = 48 Vdc、IDQ = 10 mA、Pout = 24 dBm（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）(1)
周波数 Gps
(dB)		 ηD
(%)		 出力PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
2515 MHz18.718.810.2-39.6
2595 MHz19.620.59.8-42.0
2675 MHz18.920.69.7-44.7
デバイスをプリント基板 (PCB) にはんだ付けしたリファレンス回路での計測データです。

購入/パラメータ

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N true 0 PSPA5G26S004Nja 4 アプリケーション・ノート Application Note t789 2 データ・シート Data Sheet t520 1 ファクト・シート Fact Sheet t523 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 5 English A5G26S004N 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg, 48 V Airfast<sup>&reg;</sup> RF power GaN transistor for cellular base stations 1647299710685689998988 PSP 456.7 KB None None documents None 1647299710685689998988 /docs/en/data-sheet/A5G26S004N.pdf 456689 /docs/en/data-sheet/A5G26S004N.pdf A5G26S004N documents N N 2022-03-14 A5G26S004N 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg, 48 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5G26S004N.pdf /docs/en/data-sheet/A5G26S004N.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2024-01-17 pdf N en Oct 18, 2023 980000996212993340 Data Sheet Y N A5G26S004N 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg, 48 V Data Sheet アプリケーション・ノート Application Note 2 2 2 English This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. 1075398872032723970051 PSP 235.5 KB None None documents None 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 235468 /docs/en/application-note/AN1955.pdf AN1955 documents N N 2016-11-09 Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf /docs/en/application-note/AN1955.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en Jul 11, 2024 645036621402383989 Application Note Y N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 3 3 English I989356375600 PSP 910.7 KB None None documents None I989356375600 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 910737 /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 documents N N 2016-11-09 AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf /docs/en/application-note/AN1907.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en May 13, 2009 645036621402383989 Application Note Y N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages ファクト・シート Fact Sheet 1 4 1 English NXP’s extensive portfolio of RF power solutions for active antenna systems (AAS) includes GaN discrete mMIMO solutions for 64T64R and 32T32R solutions. 1648159440615726957303 PSP 1.2 MB None None documents None 1648159440615726957303 /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf 1174719 /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf DMS5G3264FS documents N N 2022-03-24 GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf Fact Sheet N 736675474163315314 2025-01-28 pdf N en Dec 3, 2024 736675474163315314 Fact Sheet Y N GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet false 0 A5G26S004N downloads ja true 1 Y PSP Y Y アプリケーション・ノート 2 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 2016-11-09 1075398872032723970051 PSP 2 Jul 11, 2024 Application Note This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. None /docs/en/application-note/AN1955.pdf English documents 235468 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1955.pdf Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 2 N N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 235.5 KB AN1955 N 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 2016-11-09 I989356375600 PSP 3 May 13, 2009 Application Note None /docs/en/application-note/AN1907.pdf English documents 910737 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 3 N N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages 910.7 KB AN1907 N I989356375600 データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/A5G26S004N.pdf 2022-03-14 1647299710685689998988 PSP 1 Oct 18, 2023 Data Sheet A5G26S004N 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg, 48 V Airfast<sup>&reg;</sup> RF power GaN transistor for cellular base stations None /docs/en/data-sheet/A5G26S004N.pdf English documents 456689 None 980000996212993340 2024-01-17 N /docs/en/data-sheet/A5G26S004N.pdf A5G26S004N 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg, 48 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5G26S004N.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 5 N N A5G26S004N 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg, 48 V Data Sheet 456.7 KB A5G26S004N N 1647299710685689998988 ファクト・シート 1 /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf 2022-03-24 1648159440615726957303 PSP 4 Dec 3, 2024 Fact Sheet NXP’s extensive portfolio of RF power solutions for active antenna systems (AAS) includes GaN discrete mMIMO solutions for 64T64R and 32T32R solutions. 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