MW6S004N|1-2000 MHz, 4 W, 28 V LDMOS

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- MRFE6VP61K25N
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- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
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- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MW6S004NT1

The MW6S004NT1 is designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.

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データシート

製品詳細

Features

Typical Two-Tone Performance @ 1960 MHz, 28 Volts, I_DQ = 50 mA, Pout = 4 Watts PEP

Power Gain: 18 dB

Drain Efficiency: 33%

IMD: –34 dBc
Typical Two-Tone Performance @ 900 MHz, 28 Volts, I_DQ = 50 mA, Pout = 4 Watts PEP

Power Gain: 19 dB

Drain Efficiency: 33%

IMD: –39 dBc
Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 4 Watts CW Output Power
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
Integrated ESD Protection
RoHS Compliant
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

^{データ・シート}
MW6S004NT1 1-2000 MHz, 4 W, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

PDF改訂 4Jun 19, 2009510.6 KBMW6S004N
^{パッケージ情報}
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins

PDF改訂 EMar 22, 201651.5 KBSOT1811-1

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
RF High-Power Model ADS Model Library: Click the Download button to save.

HTML改訂 0Nov 21, 2008 00:00:00448 BRF_HIGH_POWER_MODELS_ADS_LIBRARY
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^電卓
MW6S004NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 2Aug 1, 2007 00:00:0043.5 KBMW6S004N_MTTF_CALC
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1-2000 MHz, 4 W, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

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