MRFE6VS25L|25 W CW, 1.8-2000 MHz, 50 V

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6VS25L

The MRFE6VS25L is an RF power transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000 MHz. This device is fabricated using our enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Wide Operating Frequency Range
Very Rugged
Unmatched, Capable of Very Broadband Operation
Integrated Stability Enhancements
Low Thermal Resistance
Extended ESD Protection Circuit
RoHS Compliant

RF Performance Tables

HF, 1.8-30 MHz

V_DD = 50 Volts

Frequency (MHz)	Signal Type	P_out (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	IMD (dBc)
1.8 to 30^(1,3)	Two-Tone (10 kHz spacing)	25 PEP	25.0	50.0	–28

30-512 MHz Broadband

V_DD = 50 Volts

Frequency (MHz)	Signal Type	P_out (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	IMD (dBc)
30-512^(2,3)	Two-Tone (200 kHz spacing)	25 PEP	17.3	32.0	–32

512 MHz Narrowband

V_DD = 50 Volts

Frequency (MHz)	Signal Type	P_out (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
512⁽⁴⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	25 Peak	25.9	74.0
512⁽⁴⁾	CW	25	26.0	75.0

Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	P_in (W)	Test Voltage	Result
30⁽¹⁾	CW	>65:1 at all Phase Angles	0.11 (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation
512⁽²⁾	CW		0.95 (3 dB Overdrive)
512⁽⁴⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)		0.14 Peak (3 dB Overdrive)
512⁽⁴⁾	CW		0.14 (3 dB Overdrive)

1. Measured in 1.8-30 MHz broadband reference circuit.
2. Measured in 30-512 MHz broadband reference circuit.
3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.
4. Measured in 512 MHz narrowband test circuit.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

データ・シート
MRFE6VS25L 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V Data Sheet

PDF改訂 1Mar 17, 20171.1 MBMRFE6VS25L
アプリケーション・ノート
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages

PDF改訂 1Feb 24, 2011664.6 KBAN1908
カタログ
RF Solutions for Commercial Aerospace

PDF改訂 2Sep 4, 20151.9 MBBR1608
パッケージ情報
98ASB42968B, NI-360H-2L, 0.8x0.23x3.81, Pitch 14.2, 3 Pins

PDF改訂 HApr 5, 201638.3 KBSOT1791-2

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 11 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MRFE6VS25LR5 S-Parameters

S2P改訂 0Oct 2, 2012 00:00:0029.5 KBMRFE6VS25L_SP

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シミュレーションとモデル
MRFE6VS25LR5 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

ZIP改訂 1Feb 8, 2013 00:00:00405.8 KBMRFE6VS25L_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
MRFE6VS25L RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00149.6 KBMRFE6VS25L_MDL_ADS

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25L 512 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP改訂 3Oct 2, 2012 00:00:00307.9 KBMRFE6VS25L_512NB_PCB

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25L 30-520 MHz Reference Circuit Design Files

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25L 1.8-30 MHz Broadband PCB DXF file

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25L 30-512 MHz Broadband PCB DXF file

ZIP改訂 0Oct 2, 2012 00:00:00394.4 KBMRFE6VS25L_30_512_PCB

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25L 1.8-30 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP改訂 0Sep 28, 2019 00:00:002.5 MBMRFE6VS25L-1.8-30-MHz-Reference-Circuit

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電卓
MRFE6VS25LR5 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Oct 2, 2012 00:00:0034.3 KBMRFE6VS25L_MTTF_CALC

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1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

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RF Performance Tables

HF, 1.8-30 MHz

30-512 MHz Broadband

512 MHz Narrowband

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MRFE6VS25LR5 S-Parameters

MRFE6VS25LR5 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

MRFE6VS25L RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VS25L 512 MHz Narrowband PCB DXF file

MRFE6VS25L 30-520 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VS25L 1.8-30 MHz Broadband PCB DXF file

MRFE6VS25L 30-512 MHz Broadband PCB DXF file

MRFE6VS25L 1.8-30 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VS25LR5 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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