MRFE6VS25N|25 W CW, 1.8-2000 MHz, 50 V

MRFE6VS25N|25 W CW, 1.8-2000 MHz, 50 V | NXP Semiconductors

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6VS25N

MRFE6VS25NR1 and MRFE6VS25GNR1 are RF power transistors designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000 MHz. These devices are fabricated using Our enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Wide Operating Frequency Range
Extreme Ruggedness
Unmatched, Capable of Very Broadband Operation
Integrated Stability Enhancements
Low Thermal Resistance
Extended ESD Protection Circuit
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 24 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

VHF-UHF Performance

V_DD = 50 Volts

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	IMD (dBc)
1.8 to 30	Two-Tone (10 kHz spacing)	25 PEP	25	51	–30
30-512	Two-Tone (200 kHz spacing)	25 PEP	17.1	30.1	–32

512 MHz Narrowband, 1030 MHz Narrowband

V_DD = 50 Volts

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
512	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	25 Peak	25.4	74.5
512	CW	25	25.5	74.7
1030	CW	25	22.5	60

Ruggedness, 1030 MHz

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
1030	CW	>65:1 at all Phase Angles	0.34 (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

購入/パラメータ

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 13 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
MRFE6VS25N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019149.8 KBMRFE6VS25N_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
MRFE6VS25NR1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

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シミュレーションとモデル
MRFE6VS25NR1 S-Parameters

S2P改訂 0Jun 5, 201226.1 KBMRFE6VS25N_SP

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25N 30-512 MHz Broadband PCB DXF file

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25N 1.8-30 MHz Broadband PCB DXF file

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25N 1030 MHz Narrowband PCB DXF file

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25N 30-520 MHz Reference Circuit Design Files

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit Design Files

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25N 1.8-30 MHz Reference Circuit Design Files

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プリント基板と回路図
MRFE6VS25N 512 MHz Narrowband PCB DXF file

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電卓
MRFE6VS25NR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jun 5, 201230.7 KBMRFE6VS25N_MTTF_CALC

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ショッピング・カート

1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors

製品詳細

Features

RF Performance Tables

VHF-UHF Performance

512 MHz Narrowband, 1030 MHz Narrowband

Ruggedness, 1030 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

カタログ (1)

RF Solutions for Commercial Aerospace[BR1608]

データ・シート (1)

MRFE6VS25N 25 W CW, 1.8-2000 MHz, 50 V Data Sheet[MRFE6VS25N]

パッケージ情報 (2)

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

ホワイト・ペーパ (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

カタログ (1)

RF Solutions for Commercial Aerospace[BR1608]

データ・シート (1)

MRFE6VS25N 25 W CW, 1.8-2000 MHz, 50 V Data Sheet[MRFE6VS25N]

パッケージ情報 (2)

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

ホワイト・ペーパ (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VS25N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VS25NR1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VS25NR1 S-Parameters

MRFE6VS25N 30-512 MHz Broadband PCB DXF file

MRFE6VS25N 1.8-30 MHz Broadband PCB DXF file

MRFE6VS25N 1030 MHz Narrowband PCB DXF file

MRFE6VS25N 30-520 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VS25N 1.8-30 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VS25N 512 MHz Narrowband PCB DXF file

MRFE6VS25NR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VS25N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VS25NR1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VS25NR1 S-Parameters

MRFE6VS25N 30-512 MHz Broadband PCB DXF file

MRFE6VS25N 1.8-30 MHz Broadband PCB DXF file

MRFE6VS25N 1030 MHz Narrowband PCB DXF file

MRFE6VS25N 30-520 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VS25N 1.8-30 MHz Reference Circuit Design Files

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