1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors

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Features

  • Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
  • Device can be used Single-Ended or in a Push-Pull Configuration
  • Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
  • Characterized from 30 V to 50 V for Extended Power Range
  • Suitable for Linear Application with Appropriate Biasing
  • Integrated ESD Protection with Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
  • Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

Typical Narrowband Performance

VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA

Application Circuits — Typical Performance

Load Mismatch/Ruggedness

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

1-5 の 6 ドキュメント

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デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

1-5の 26 設計・ファイル

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