MRFE6VP5150N|150 W CW, 1.8-600 MHz, , 50 V

MRFE6VP5150N|150 W CW, 1.8-600 MHz, , 50 V | NXP Semiconductors

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レガシーRF
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- MW6S004NT1
- MW6S010N
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MRFE6VP5150N

These high ruggedness devices, MRFE6VP5150NR1 and MRFE6VP5150GNR1, are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Wide Operating Frequency Range
Extreme Ruggedness
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
Integrated Stability Enhancements
Low Thermal Resistance
Integrated ESD Protection Circuitry
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

87.5-108 MHz Broadband

V_DD = 50 Vdc

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
87.5-108^(1,3)	CW	179	22.5	74.6

230 MHz Narrowband

V_DD = 50 Vdc

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
230⁽²⁾	CW	150	26.3	72.0
230⁽²⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	150 Peak	26.1	70.3

Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
98⁽¹⁾	CW	> 65:1 at all Phase Angles	3.0 (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation
230⁽²⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	> 65:1 at all Phase Angles	0.62 Peak (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
2. Measured in 230 MHz narrowband test circuit.
3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.

購入/パラメータ

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
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シミュレーションとモデル
MRFE6VP5150N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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シミュレーションとモデル
MRFE6VP5150N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019135.5 KBMRFE6VP5150N_MDL_ADS

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電卓
MRFE6VP5150N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Apr 3, 201991.3 KBMRFE6VP5150N-MTTF-CALC

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ショッピング・カート

1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors

製品詳細

Features

RF Performance Tables

87.5-108 MHz Broadband

230 MHz Narrowband

Ruggedness

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

サポート情報 (1)

Rugged Plastic for Industrial Applications[RF_RUGGED_PLASTIC_INDUSTRIAL_TRN]

データ・シート (1)

MRFE6VP5150NR1, MRFE6VP5150GNR1 1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[MRFE6VP5150N]

パッケージ情報 (2)

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins[SOT1736-2]

98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]

ホワイト・ペーパ (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

サポート情報 (1)

Rugged Plastic for Industrial Applications[RF_RUGGED_PLASTIC_INDUSTRIAL_TRN]

データ・シート (1)

MRFE6VP5150NR1, MRFE6VP5150GNR1 1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[MRFE6VP5150N]

パッケージ情報 (2)

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins[SOT1736-2]

98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]

ホワイト・ペーパ (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

設計・リソース

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RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VP5150N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP5150N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VP5150N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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MRFE6VP5150N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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