MW7IC008N|100-1000 MHz, 8 W Peak, 28 V

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- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
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- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
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- MRFE6VP61K25N
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- MRFX1K80N
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- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MW7IC008N

The MW7IC008N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 20 to 1000 MHz. This multi-stage structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers most narrow bandwidth communication application formats.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Broadband, Single Matching Network from 20 to 1000 MHz
Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
Integrated ESD Protection
RoHS Compliant
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units, 16 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Table

100-900 MHz

Typical CW Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ1 = 25 mA, I_DQ2 = 75 mA

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)
100 MHz @ 11 W CW	23.5	55
400 MHz @ 9 W CW	22.5	41
900 MHz @ 6.5 W CW	23.5	34

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 900 MHz, Pout = 6.5 Watts CW (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below –60 dBc @ 1 mW to 8 Watts CW Pout @ 900 MHz
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 11 Watts CW @ 100 MHz, 9 Watts CW @ 400 MHz, 6.5 Watts CW @ 900 MHz

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

^{データ・シート}
MW7IC008NT1 100-1000 MHz, 8 W Peak, 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier - Data Sheet

PDF改訂 3Dec 19, 2013337.2 KBMW7IC008N
^{アプリケーション・ノート}
PCB Layout Guidelines for PQFN/QFN Style Packages Requiring Thermal Vias for Heat Dissipation - AN3778

PDF改訂 0Feb 26, 2010632.0 KBAN3778
^{アプリケーション・ノート}
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF改訂 1May 12, 2004140.7 KBAN1987
^{アプリケーション・ノート}
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF改訂 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977
^{パッケージ情報}
98ASA10760D, PQFN-EP, 8.0x8.0x2.1, Pitch 0.8, 24 Pins

PDF改訂 BMar 21, 201644.4 KBSOT1664-1

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

^{シミュレーションとモデル}
MW7IC008NT1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Mar 2, 2012 00:00:003.7 MBMW7IC008N_MDL_AWR
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^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
MW7IC008N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:001.5 MBMW7IC008N_MDL_ADS
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^{プリント基板と回路図}
MW7IC008NT1 CAD DXF File

ZIP改訂 1aJun 21, 2011 00:00:0033.5 KBMW7IC008N_DXF_PCB
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100-1000 MHz, 8 W Peak, 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

製品詳細

Features

RF Performance Table

100-900 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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MW7IC008NT1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MW7IC008N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MW7IC008NT1 CAD DXF File

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