1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

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製品詳細

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RF Performance Tables

Typical Performance

Frequency
(MHz)
Signal Type VDD
(V)
Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
27 (1)CW651800 CW27.875.6
64Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle)651800 Peak27.169.5
81.36CW631700 CW24.576.3
87.5-108 (2,3)CW601600 CW23.682.5
123/128Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle)651800 Peak25.969.0
144CW651800 CW23.578.0
230 (4)Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)651800 Peak25.175.1
325Pulse (12 µsec, 10% Duty Cycle)631700 Peak22.864.9

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency
(MHz)
Signal Type VSWR Pin
(W)
Test Voltage Result
230 (4) Pulse
(100 µsec, 20% Duty Cycle)
> 65:1 at all Phase Angles 14 W Peak
(3 dB Overdrive)
65 No Device Degradation
1. Data from 27 MHz narrowband reference circuit.
2. Data from 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
3. The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.
4. Data from 230 MHz narrowband production test fixture.

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

1-5の 29 設計・ファイル

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