MRFX1K80N|1800 W CW, 1.8-400 MHz, 65 V

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レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFX1K80N

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The MRFX1K80N is the over-molded plastic version of MRFX1K80H and enables a 30% lower thermal resistance. It is based on NXP's new 65 V LDMOS technology that focuses on ease of use. This high ruggedness transistor is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub-GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 400 MHz.

データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Low thermal resistance version of MRFX1K80H using NXP's OM-1230 over-molded plastic package
Based on new 65 V LDMOS technology, designed for ease of use
Characterized from 30 to 65 V for extended power range
Unmatched input and output
High breakdown voltage for enhanced reliability and higher efficiency architectures
High drain-source avalanche energy absorption capability
High ruggedness. Handles 65:1 VSWR.
RoHS compliant

Industrial, scientific, medical (ISM)
- Laser generation
- Plasma generation
- Particle accelerators
- MRI, RF ablation and skin treatment
- Industrial heating, welding and drying systems
Radio and VHF TV broadcast
Aerospace
- HF communications
- Radar

RF Performance Tables

Typical Performance

Frequency (MHz)	Signal Type	V_DD (V)	P_out (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
87.5-108^(1,2)	CW	60	1670 CW	23.8	83.5
230⁽³⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	65	1800 Peak	24.4	75.7

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	P_in (W)	Test Voltage	Result
230⁽³⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	> 65:1 at all Phase Angles	14 Peak (3 dB Overdrive)	65	No Device Degradation

1. Measured in 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
2. The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.
3. Measured in 230 MHz narrowband production test fixture.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

データ・シート
MRFX1K80N 1800 W CW, 1.8-400 MHz, 65 V Data Sheet

PDF改訂 0Apr 10, 20181.7 MBMRFX1K80N
アプリケーション・ノート
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
エンジニアリング・ブリテン
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212
パッケージ情報
98ASA00818D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF改訂 BMar 9, 201677.6 KBSOT1824-1
パッケージ情報
98ASA00506D, OM-1230-4L, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF改訂 CFeb 15, 201672.8 KBSOT1816-1

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 11 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MRFX1K80N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Sep 20, 2016 00:00:00563.7 KBMRFX1K80N_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
MRFX1K80N S-Parameters

S2P改訂 0Apr 10, 2018 00:00:0012.0 KBMRFX1K80N-SP

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シミュレーションとモデル
MRFX1K80N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00228.2 KBMRFX1K80N_MDL_ADS

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プリント基板と回路図
MRFX1K80N 87.5-108 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 0Apr 10, 2018 00:00:00507.7 KBMRFX1K80N-87.5_108-PCB

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プリント基板と回路図
MRFX1K80N 87.5-108 MHz Baseplate Drawing

ZIP改訂 0Apr 10, 2018 00:00:0062.4 KBMRFX1K80N-87.5-108-BASEPLATE

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プリント基板と回路図
MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

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プリント基板と回路図
MRFX1K80N 230 MHz Narrrow Band PCB DXF file

ZIP改訂 0Apr 10, 2018 00:00:0015.9 KBMRFX1K80N-230NB-PCB

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プリント基板と回路図
MRFX1K80N 230 MHz Test Fixture Design Files

ZIP改訂 0Sep 20, 2019 00:00:004.4 MBMRFX1K80N-230-MHz-Test-Fixture

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電卓
MRFX1K80N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Mar 21, 2019 00:00:0083.3 KBMRFX1K80N-MTTF-CALC

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1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

Typical Performance

Load Mismatch/Ruggedness

関連製品

購入/パラメータ

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFX1K80N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFX1K80N S-Parameters

MRFX1K80N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFX1K80N 87.5-108 MHz PCB DXF file

MRFX1K80N 87.5-108 MHz Baseplate Drawing

MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

MRFX1K80N 230 MHz Narrrow Band PCB DXF file

MRFX1K80N 230 MHz Test Fixture Design Files

MRFX1K80N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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