A2T23H160-24S|Airfast® 28 W, 2300-2400 MHz

A2T23H160-24S|Airfast® 28 W, 2300-2400 MHz | NXP Semiconductors

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
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- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
A2T23H160-24S

The A2T23H160-24SR3 28 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2300 to 2400 MHz.

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データ・シート

製品詳細

Features

Advanced High Performance In-Package Doherty
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant

RF Performance Table

2300 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 350 mA, V_GSB = 0.7 Vdc, Pout = 28 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
2300 MHz	17.7	48.8	7.9	–33.5
2350 MHz	17.7	48.4	8.0	–37.2
2400 MHz	17.8	48.2	7.9	–37.0

購入/パラメータ

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N true 0 PSPA2T23H160-24Sja 3 エンジニアリング・ブリテン Technical Notes t521 1 データ・シート Data Sheet t520 1 パッケージ情報 Package Information t790 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1

English

A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Airfast® RF power LDMOS transistor for cellular base stations

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A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet

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2022-12-07

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Data Sheet

A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet

エンジニアリング・ブリテン Technical Notes 1 2

English

This document explains the format used by NXP® for presenting LDMOS impedance information for both single-ended and push-pull devices on RF Power datasheets.

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Technical Notes

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

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Jan 19, 2004

Technical Notes

This document explains the format used by NXP® for presenting LDMOS impedance information for both single-ended and push-pull devices on RF Power datasheets.

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

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データ・シート

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Nov 17, 2015

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A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet

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A2T23H160-24S

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パッケージ情報

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SOT1799-3

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

コンパクトリスト

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet[A2T23H160-24S]

PDFNov 17, 2015改訂 0

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PDFJan 16, 2014改訂 O

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
A2T23H160-24S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019911.0 KBA2T23H160_24S_MDL_ADS

アカウントが必要です
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シミュレーションとモデル
A2T23H160-24S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Sep 20, 20162.2 MBA2T23H160_24S_MDL_AWR

アカウントが必要です
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電卓
A2T23H160-24S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Aug 23, 201642.1 KBA2T23H160-24S_MTTF_CALC

アカウントが必要です
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ショッピング・カート

2300-2400 MHz, 28 W AVG., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2300 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet[A2T23H160-24S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00674D, NI-780S-4L2L, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins[SOT1799-3]

絞り込み

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet[A2T23H160-24S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00674D, NI-780S-4L2L, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins[SOT1799-3]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

A2T23H160-24S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2T23H160-24S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

A2T23H160-24S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

A2T23H160-24S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2T23H160-24S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

A2T23H160-24S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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