MW6S010N|450-1500 MHz, 10 W, 28 V

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MW6S010N

The MW6S010NR1 and MW6S010GNR1 are designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Typical Two-Tone Performance @ 960 MHz, V_DD = 28 Volts, I_DQ = 125 mA, Pout = 10 Watts PEP

Power Gain: 18 dB

Drain Efficiency: 32%

IMD: –37 dBc
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 960 MHz, 10 Watts CW Output Power
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
Qualified Up to a Maximum of 32 V_DD Operation
Integrated ESD Protection
225°C Capable Plastic Package
RoHS Compliant.
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 6 ドキュメント

データ・シート
MW6S010NR1, MW6S010GNR1 450-1500 MHz, 10 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

PDF改訂 5Jun 19, 2009742.7 KBMW6S010N
アプリケーション・ノート
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
アプリケーション・ノート
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
アプリケーション・ノート
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 0Mar 12, 2009449.7 KBAN3789
パッケージ情報
98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins

PDF改訂 DMar 30, 201686.0 KBSOT1731-1
パッケージ情報
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins

PDF改訂 RFeb 26, 201691.2 KBSOT1732-1

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
MW6S010N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Jul 21, 2015 00:00:00454.8 KBMW6S010N_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
MW6S010N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:00231.5 KBMW6S010N_MDL_ADS

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電卓
MW6S010N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 2Aug 1, 2007 00:00:0033.8 KBMW6S010N_MTTF_CALC

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450-1500 MHz, 10 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

製品詳細

Features

購入/パラメータ

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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MW6S010N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MW6S010N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MW6S010N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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