AFT09MS031N|31 W CW, 764-941 MHz, 13.6 V

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
AFT09MS031N

The AFT09MS031NR1 and AFT09MS031GNR1 are designed for mobile two-way radio applications with frequencies from 764 to 941 MHz. The high gain, ruggedness and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applications in mobile radio equipment.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Characterized for Operation from 764 to 941 MHz
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
Integrated ESD Protection
Integrated Stability Enhancements
Wideband — Full Power Across the Band (764 to 870 MHz)
225°C Capable Plastic Package
Exceptional Thermal Performance
High Linearity for: TETRA, SSB, LTE
Cost-effective Over-molded Plastic Packaging
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 24 mm Tape Width, 13 inch Reel.

Output Stage 800 MHz Trunking Band Mobile Radio
Output Stage 900 MHz Trunking Band Mobile Radio

RF Performance Tables

764-941 MHz Narrowband

13.6 Vdc, I_DQ = 500 mA, T_A = 25°C, CW

Frequency (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
764	18.0	74.1	32
870	17.2	71.0	31
941	15.7	68.1	31

764-870 MHz Broadband

13.6 Vdc, I_DQ = 100 mA, T_A = 25°C, CW

Frequency (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
760	15.7	62.0	44
820	15.7	63.0	37
870	15.5	61.0	36

Ruggedness, 870 MHz

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
870⁽¹⁾	CW	>65:1 at all Phase Angles	1.2 (3 dB Overdrive)	17	No Device Degradation
870⁽²⁾	CW	>65:1 at all Phase Angles	2.0 (3 dB Overdrive)	17	No Device Degradation

1. Measured in 870 MHz narrowband test circuit.
2. Measured in 760-870 MHz broadband reference circuit.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 9 ドキュメント

データ・シート
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

PDF改訂 1Aug 31, 20121.0 MBAFT09MS031N
アプリケーション・ノート
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
アプリケーション・ノート
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
アプリケーション・ノート
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 0Mar 12, 2009449.7 KBAN3789
エンジニアリング・ブリテン
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212
パッケージ情報
98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins

PDF改訂 DMar 30, 201686.0 KBSOT1731-1
パッケージ情報
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins

PDF改訂 RFeb 26, 201691.2 KBSOT1732-1
サポート情報
New Generation of Land Mobile Radio Products

PDF改訂 0Jun 15, 2012877.8 KBLANDMOBILE_TRN_SI
ホワイト・ペーパ
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

PDF改訂 2Sep 24, 2015911.8 KBRFPLASTICWP

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 7 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
AFT09MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

ZIP改訂 1Feb 8, 2013 00:00:00656.9 KBAFT09MS031N_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00238.6 KBAFT09MS031N_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 S-Parameters

S2P改訂 0May 25, 2012 00:00:005.2 KBAFT09MS031N_SP

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プリント基板と回路図
AFT09MS031N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP改訂 2May 25, 2012 00:00:0028.9 KBAFT09MS031N_870NB_PCB

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電卓
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0May 25, 2012 00:00:0030.0 KBAFT09MS031N_MTTF_CALC

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764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors

製品詳細

Features

RF Performance Tables

764-941 MHz Narrowband

764-870 MHz Broadband

Ruggedness, 870 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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AFT09MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

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AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 S-Parameters

AFT09MS031N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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