MRF6V12500H|500 W Pulse, 960-1215 MHz, 50 V

製品詳細

Features

Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 50 V_DD Operation
Integrated ESD Protection
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
RoHS Compliant

RF Performance Table

Typical Pulse Performance

V_DD = 50 Volts, I_DQ = 200 mA

Application	Signal Type	Pout⁽¹⁾ (W)	Freq. (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)
Narrowband Short Pulse	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	500 Peak	1030	19.7	62.0
Narrowband Mode S ELM	Pulse (48 x (32 µsec on, 18 µsec off), Period 2.4 msec, 6.4% Long-term Duty Cycle)	500 Peak	1030	19.7	62.0
Broadband	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	500 Peak	960-1215	18.5	57.0

1. Minimum output power for each specified pulse condition.

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1030 MHz, 500 Watts Peak Power

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

9 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

RF Solutions for Commercial Aerospace[BR1608]

PDFSep 4, 2015改訂 2

MRF6V12500H 500 W, 960-1215 MHz, 50 V RF Power Transistor Data Sheet[MRF6V12500H]

PDFDec 2, 2024改訂 6

98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins[SOT1792-1]

PDFMar 22, 2016改訂 H
98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins[SOT1793-1]

PDFMar 22, 2016改訂 J
98ASA00193D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 14.1, 3 Pins[SOT1802-1]

PDFFeb 26, 2016改訂 C

50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications[50VRFLDMOSWP]

PDFSep 8, 2011改訂 4

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MRF6V12500H, MRF6V12500HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jul 22, 20111.2 MBMRF6V12500H_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
MRF6V12500H, MRF6V12500HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019524.8 KBMRF6V12500H_MDL_ADS

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電卓
MRF6V12500HR5, MRF6V12500HSR5 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 1Apr 28, 201050.2 KBMRF6V12500H_MTTF_CALC

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ショッピング・カート

960-1215 MHz, 500 W, 50 V Pulse RF Power LDMOS Transistors

製品詳細

Features

RF Performance Table

Typical Pulse Performance

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

カタログ (1)

RF Solutions for Commercial Aerospace[BR1608]

データ・シート (1)

MRF6V12500H 500 W, 960-1215 MHz, 50 V RF Power Transistor Data Sheet[MRF6V12500H]

パッケージ情報 (3)

98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins[SOT1792-1]

98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins[SOT1793-1]

98ASA00193D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 14.1, 3 Pins[SOT1802-1]

ホワイト・ペーパ (1)

50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications[50VRFLDMOSWP]

絞り込み

アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

カタログ (1)

RF Solutions for Commercial Aerospace[BR1608]

データ・シート (1)

MRF6V12500H 500 W, 960-1215 MHz, 50 V RF Power Transistor Data Sheet[MRF6V12500H]

パッケージ情報 (3)

98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins[SOT1792-1]

98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins[SOT1793-1]

98ASA00193D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 14.1, 3 Pins[SOT1802-1]

ホワイト・ペーパ (1)

50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications[50VRFLDMOSWP]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRF6V12500H, MRF6V12500HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF6V12500H, MRF6V12500HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF6V12500HR5, MRF6V12500HSR5 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRF6V12500H, MRF6V12500HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF6V12500H, MRF6V12500HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF6V12500HR5, MRF6V12500HSR5 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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