3400～3800 MHz、32 dB、平均8 W オートバイアス制御付きAirfast®パワー・アンプ・モジュール
A5M36SG239は、最小のフットプリントで高性能が要求されるワイヤレス・インフラストラクチャ・アプリケーション向けの完全統合型ドハティ・パワー・アンプ・モジュールです。マッシブMIMOシステム、屋外スモール・セル、低消費電力リモート無線ヘッド (RRH) 用のアプリケーションに最適です。フィールド実証済みのLDMOSおよびGaNパワー・アンプであり、TDD LTEおよび5Gシステム向けに設計されています。このモジュールは、電源投入時にトランジスタのバイアスを自動設定するオートバイアス機能と、温度をモニタリングする内蔵センサを搭載しています。モジュールへの通信は、I2CまたはSPIを介して行うことができます。
製品詳細
特長
- ドライバとしてのLDMOS集積回路とGaN最終段アンプを組み合わせた2段モジュール・ソリューション
- 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
- 完全整合（50 Ω入出力、DCブロック）
- 複雑性の低いデジタル線形化システム向けに設計
- メモリ効果を低減し、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
- 電源オン時のオートバイアス
- 温度センシング
- デジタル・インターフェース（I2CまたはSPI）
- バイアス条件設定用の組込みレジスタとDAC
- TDD動作用のTxイネーブル制御ピン
- RoHS準拠
RF性能表
3400～3800 MHz
標準LTE性能：Pout = 8 W平均、VDC1 = VDP1 = 5 Vdc、VDC2 = VDP2 = 48 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力信号PAR = 8 dB（CCDFの確率0.01%時）。1
| 搬送波中心 周波数 |
利得 (dB) |
ACPR (dBc) |
PAE (%) |
| 3410 MHz | 31.4 | -27.4 | 44.1 |
| 3500 MHz | 31.4 | –26.6 | 44.4 |
| 3600 MHz | 31.7 | –26.2 | 46.3 |
| 3700 MHz | 31.6 | –26.9 | 48.0 |
| 3790 MHz | 31.0 | –27.2 | 47.3 |
購入/パラメータ
1 結果
マッチしていない 0 NRND
パーツ | 注文 | コンピュータ支援設計 モデル | 状況 | Frequency (Min) (MHz) | Frequency (Max) (MHz) | Supply Voltage (Typ) (V) | Peak Power (Typ) (dBm) | Peak Power (Typ) (W) | ダイ技術 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
アクティブ | 3400 | 3800 | 5, 48 | 48.1 | 64.6 | GaN, LDMOS |
設計・リソース
サポート
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