A5G38H055N|3700-3980 MHz, 7.6 W Avg, 48 V | NXP Semiconductors

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3700-3980 MHz, 7.6 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

A5G38H055N アクティブ

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This 7.6 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 3700 to 3980 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 3700 to 3980 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

Features

  • High terminal impedances for optimal broadband performance
  • Improved linearized error vector magnitude with next generation signal
  • Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
  • Designed for low complexity linearization systems
  • Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations
  • RoHS compliant

RF Performance Table

3700–3980 MHz

Typical Doherty Single−Carrier W−CDMA Reference Circuit Performance: VDD = 48 Vdc, IDQA = 45 mA, VGSB = –3.9 Vdc, Pout = 7.6 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.(1)
Frequency Gps
(dB)		 TD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
3700 MHz 14.7 55.5 8.5 –29.5
3840 MHz 14.9 53.2 8.5 –35.0
3980 MHz 14.7 53.0 8.2 –33.4
1. All data measured in reference circuit with device soldered to printed circuit board

購入/パラメータ

1 結果

マッチしていない 0 NRND

パーツ

説明を表示

注文

コンピュータ支援設計 モデル

状況

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

ダイ技術

A5G38H055N
データ・シート

アクティブ

3700

3980

48

47.4

55

GaN

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

4 ドキュメント

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アプリケーション・ノート (2)
データ・シート (1)
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3 設計・ファイル

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