MMRF5014H|RF Power GaN on SiC Transistor

製品詳細

Features

Decade bandwidth performance
Low thermal resistance
Advanced GaN on SiC, offering high power density
Input matched for extended wideband performance
High ruggedness: > 20:1 VSWR
RoHS compliant
These products are included in our product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch.

Ideal for military end-use applications, including the following:
- Narrowband and multi-octave wideband amplifiers
- Radar
- Jammers
- EMC testing

Also suitable for commercial applications, including the following:
- Public mobile radios, including emergency service radios
- Industrial, scientific and medical
- Wideband laboratory amplifiers
- Wireless cellular infrastructure

RF Performance Tables

Typical Narrowband Performance

V_DD = 50 Vdc, I_DQ = 350 mA, T_A = 25°C

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
2500⁽¹⁾	CW	125 CW	16.0	64.2
2500⁽¹⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	125 Peak	18.0	66.8

Typical Wideband Performance

V_DD = 50 Vdc, T_A = 25°C

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps⁽²⁾ (dB)	η_D⁽²⁾ (%)
200-2500⁽³⁾	CW	100 CW	12.0	40.0
1300-1900⁽⁴⁾	CW	125 CW	14.5	45.0

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
2500⁽¹⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	> 20:1 at All Phase Angles	5.0 Peak (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 2500 MHz narrowband test circuit.
2. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.
3. Measured in 200-2500 MHz broadband reference circuit.
4. Measured in 1300-1900 MHz broadband reference circuit.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

MMRF5014H: 125 W CW GaN-on-SiC Transistor[MMRF5014H_50V_GAN_TRN_SI]

PDFNov 23, 2014改訂 0

MMRF5014H 125 W CW, 50 V RF Power GaN Data Sheet[MMRF5014H]

PDFMay 25, 2018改訂 3

98ASA00795D, NI-C, 20.32x5.84x3.81, Pitch 7.14, 3 Pins, NI-360H-2SB[SOT1791-1]

PDFNov 5, 2014改訂 O

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 6 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
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HTML改訂 1Sep 20, 2016802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MMRF5014H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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シミュレーションとモデル
MMRF5014H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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プリント基板と回路図
MMRF5014H 200-2500 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP改訂 0Sep 28, 201913.2 MBMMRF5014H-200-2500-MHz-Reference-Circuit

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MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP改訂 0Sep 28, 20194.0 MBMMRF5014H-500-2500-MHz-Reference-Circuit

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ショッピング・カート

1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V Wideband RF Power GaN on SiC Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

Typical Narrowband Performance

Typical Wideband Performance

Load Mismatch/Ruggedness

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

サポート情報 (1)

MMRF5014H: 125 W CW GaN-on-SiC Transistor[MMRF5014H_50V_GAN_TRN_SI]

データ・シート (1)

MMRF5014H 125 W CW, 50 V RF Power GaN Data Sheet[MMRF5014H]

パッケージ情報 (1)

98ASA00795D, NI-C, 20.32x5.84x3.81, Pitch 7.14, 3 Pins, NI-360H-2SB[SOT1791-1]

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

サポート情報 (1)

MMRF5014H: 125 W CW GaN-on-SiC Transistor[MMRF5014H_50V_GAN_TRN_SI]

データ・シート (1)

MMRF5014H 125 W CW, 50 V RF Power GaN Data Sheet[MMRF5014H]

パッケージ情報 (1)

98ASA00795D, NI-C, 20.32x5.84x3.81, Pitch 7.14, 3 Pins, NI-360H-2SB[SOT1791-1]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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MMRF5014H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MMRF5014H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MMRF5014H 200-2500 MHz Reference Circuit Design Files

MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit Design Files

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MMRF5014H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MMRF5014H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MMRF5014H 200-2500 MHz Reference Circuit Design Files

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