MMRF1317H|1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | NXP Semiconductors

1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V RF Power LDMOS Transistors

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Features

  • Internally input and output matched for broadband operation and ease of use
  • Device can be used in a single-ended, push-pull, or quadrature configuration
  • High ruggedness,handles > 10:1 VSWR
  • Integrated ESD protection with greater negative voltage range for improved Class C operation and gate voltage pulsing
  • Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
  • RoHS Compliant
  • Ground-based secondary surveillance radars
  • IFF transponders

RF Performance Tables

Typical Performance

In 1030, 1090 MHz reference circuit, VDD = 50 Vdc, IDQ(A+B) = 100 mA
Frequency
(MHz)
Signal Type Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
1030(1)Pulse
(128 µsec, 10% Duty Cycle)
1300 Peak18.956.0
1090(1)1100 Peak18.857.9

Typical Narrowband Performance

VDD = 50 Vdc, IDQ(A+B) = 100 mA
Frequency
(MHz)
Signal Type Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
1030(2)Pulse
(128 µsec, 10% Duty Cycle)
1300 Peak18.258.1

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency
(MHz)
Signal Type VSWR Pin
(W)
Test
Voltage
Result
1030(2)Pulse
(128 µsec, 10% Duty Cycle)
> 10:1 at all Phase Angles40
(3 dB Overdrive)
50No Device Degradation
1. Measured in 1030, 1090 MHz reference circuit.
2. Measured in 1030 MHz narrowband test circuit.

購入/パラメータ

2 結果

除外 2 NRND

注文

コンピュータ支援設計 モデル

状況

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

P1dB (Typ) (dBm)

P1dB (Typ) (W)

ダイ技術

新規採用非推奨

1030

1090

50

61.1

1300

LDMOS

新規採用非推奨

1030

1090

50

61.1

1300

LDMOS

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

6 ドキュメント

コンパクトリスト

アプリケーション・ノート (2)
サポート情報 (1)
データ・シート (1)
パッケージ情報 (2)

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

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