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1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V RF Power LDMOS Transistor
- このページでは、新規設計を推奨しない製品に関する情報を掲載しています。
These high ruggedness devices, MMRF1320N and MMRF1320GN, are designed for use in high VSWR defense and commercial radio communications and HF, VHF and UHF radar applications. The unmatched input and output designs allow wide frequency range utilization from 1.8 to 600 MHz.
TO-270WB-4, TO-270WBG-4 Package Images
製品詳細
Features
- Wide operating frequency range
- Ruggedness
- Input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Integrated ESD protection circuitry
- RoHS compliant
RF Performance Tables
Typical Performance
VDD = 50 Vdc| Frequency (MHz) |
Signal Type | Pout (W) |
Gps (dB) |
ηD (%) |
| 230 | CW | 150 | 26.3 | 72.0 |
| 230 | Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle) | 150 Peak | 26.1 | 70.3 |
Load Mismatch/Ruggedness
| Frequency (MHz) |
Signal Type | VSWR | Pin (W) |
Test Voltage |
Result |
| 230 | Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle) | > 65:1 at all Phase Angles | 0.62 Peak (3 dB Overdrive) | 50 | No Device Degradation |
購入/パラメータ
2 結果
除外 2 NRND
パーツ | 注文 | コンピュータ支援設計 モデル | 状況 | Frequency (Min) (MHz) | Frequency (Max) (MHz) | Supply Voltage (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | ダイ技術 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
生産終了 (EOL) | 1.8 | 600 | 50 | 51.8 | 150 | LDMOS | |||
— | 生産終了 (EOL) | 1.8 | 600 | 50 | 51.8 | 150 | LDMOS |
4 ドキュメント
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アプリケーション・ノート (1)
データ・シート (1)
パッケージ情報 (2)
設計・リソース
サポート
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