MMRF2010N|1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | NXP Semiconductors

1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V RF LDMOS Integrated Power Amplifiers

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Features

  • Characterized over 1030-1090 MHz
  • On-chip input (50 Ohm) and interstage matching
  • Single ended
  • Integrated ESD protection
  • Low thermal resistance
  • Integrated quiescent current temperature compensation with enable/disable function
  • RoHS Compliant
  • Driver PA for high power pulse applications
  • IFF and secondary radar

RF Performance Tables

Typical Wideband Performance

(52 Vdc, TA = 25°C)
Frequency
(MHz)(1)
Signal Type Pout
(W)
Gps
(dB)
2nd Stage Eff.
(%)
1030Pulse
(128 µsec, 10% Duty Cycle)
250 Peak34.161.0
109033.461.9
1030Pulse
(2 msec, 20% Duty Cycle)
250 Peak33.661.5
109032.662.9

Narrowband Performance

(50 Vdc, TA = 25°C)
Frequency
(MHz)
Signal Type Pout
(W)
Gps
(dB)
2nd Stage Eff.
(%)
1090(2)Pulse
(128 µsec, 10% Duty Cycle)
250 Peak32.161.4

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency
(MHz)
Signal Type VSWR Pin
(W)
Test Voltage Result
1090(1)Pulse
(2 msec, 20% Duty Cycle)
> 20:1 at all Phase Angles 0.316 W Peak
(3 dB Overdrive)
52No Device Degradation
1. Measured in 1030-1090 MHz reference circuit.
2. Measured in 1090 MHz narrowband test circuit.

購入/パラメータ

2 結果

マッチしていない 0 NRND

注文

コンピュータ支援設計 モデル

状況

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

P1dB (Typ) (dBm)

P1dB (Typ) (W)

ダイ技術

アクティブ

1030

1090

50

54

250

LDMOS

アクティブ

1030

1090

50

54

250

LDMOS

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

9 ドキュメント

コンパクトリスト

アプリケーション・ノート (4)
エンジニアリング・ブリテン (1)
サポート情報 (1)
データ・シート (1)
パッケージ情報 (2)

サポート

お困りのことは何ですか??

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