AFV10700H|700 W Pulse, 960-1215 MHz, 52 V

AFV10700H|700 W Pulse, 960-1215 MHz, 52 V | NXP Semiconductors

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These RF power transistors, AFV10700H, AFV10700HS and AFV10700GS, are designed for pulse applications operating at 960 to 1215 MHz. These devices are suitable for use in defense and commercial pulse applications with large duty cycles and long pulses, such as IFF, secondary surveillance radars, ADS-B transponders, DME and other complex pulse chains.

データ・シート

製品詳細

Features

Internally input and output matched for broadband operation and ease of use
The device can be used single-ended, push-pull, or quadrature configuration
Qualified up to a maximum of 55 V_DD operation
High ruggedness, handles > 20:1 VSWR
Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation and gate voltage pulsing
Recommended drivers: MRFE6VS25N (25 W) or MRF6V10010N (10 W)
RoHS Compliant

RF Performance Tables

Typical Performance

In 1030-1090 MHz reference circuit, I_DQ(A+B) = 100 mA

Frequency (MHz) ⁽¹⁾	Signal Type	V_DD (V)	P_out (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
1030	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	50	800 Peak	17.5	52.1
1090		50	700 Peak	19.0	56.1
1030		52	850 Peak	17.5	51.7
1090		52	770 Peak	19.2	56.1

Typical Performance

In 960-1215 MHz reference circuit, I_DQ(A+B) = 100 mA

Frequency (MHz) ⁽¹⁾	Signal Type	V_DD (V)	P_out (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
960	Pulse (128 µsec, 4% Duty Cycle)	50	747 Peak	16.7	50.8
1030			713 Peak	16.5	49.7
1090			700 Peak	16.5	47.1
1215			704 Peak	16.5	54.5

Typical Performance

In 1030 MHz narrowband production test fixture, I_DQ(A+B) = 100 mA

Frequency (MHz)	Signal Type	V_DD (V)	P_out (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
1030 ⁽²⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	50	730 Peak	19.2	58.5

Narrowband Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	P_in (W)	Test Voltage	Result
1030 ⁽²⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	> 20:1 at all Phase Angles	17.2 Peak (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 1030-1090 MHz reference circuit.
2. Measured in 1030 MHz narrowband production test fixture.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

コンパクトリスト

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

AFV10700H 700 W Pulse, 960-1215 MHz, 52 V Data Sheet[AFV10700H]

PDFAug 8, 2019改訂 2

NI-780S-4L[98ASA10718D]

PDFAug 15, 2016改訂 C
98ASA10793D, NI-780H-4L[SOT1827-1]

PDFMar 21, 2016改訂 A
98ASA00238D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.88, 5 Pins, NI-780GS-4L[SOT1805-1]

PDFFeb 26, 2016改訂 C

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 10 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
AFV10700H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Sep 20, 20161.6 MBAFV10700H_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
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シミュレーションとモデル
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シミュレーションとモデル
AFV10700H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019609.6 KBAFV10700H_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
AFV10700H S-Parameters

S2P改訂 0May 25, 2017187.4 KBAFV10700H-SP

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プリント基板と回路図
AFV10700H 1030-1090 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP改訂 0Sep 28, 20191.4 MBAFV10700H-1030-1090-MHz-Reference-Circuit

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プリント基板と回路図
AFV10700H 1030-1090 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 0May 25, 2017413.8 KBAFV10700H-1030-1090-PCB

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プリント基板と回路図
AFV10700H 1030 MHz Narrowband PCB DXF file

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電卓
AFV10700H RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0May 25, 201775.9 KBAFV10700H_MTTF_CALC

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Design Tool
AFV10700H 1030-1090 MHz Design Files

ZIP改訂 3.0Jun 11, 20171.4 MBAFV10700H-1030-1090-DESIGN-FILES

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ショッピング・カート

700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

Typical Performance

Typical Performance

Typical Performance

Narrowband Load Mismatch/Ruggedness

関連製品

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

AFV10700H 700 W Pulse, 960-1215 MHz, 52 V Data Sheet[AFV10700H]

パッケージ情報 (3)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

98ASA10793D, NI-780H-4L[SOT1827-1]

98ASA00238D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.88, 5 Pins, NI-780GS-4L[SOT1805-1]

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エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

AFV10700H 700 W Pulse, 960-1215 MHz, 52 V Data Sheet[AFV10700H]

パッケージ情報 (3)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

98ASA10793D, NI-780H-4L[SOT1827-1]

98ASA00238D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.88, 5 Pins, NI-780GS-4L[SOT1805-1]

設計・リソース

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AFV10700H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFV10700H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFV10700H S-Parameters

AFV10700H 1030-1090 MHz Reference Circuit Design Files

AFV10700H 1030-1090 MHz PCB DXF file

AFV10700H 1030 MHz Narrowband PCB DXF file

AFV10700H RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

AFV10700H 1030-1090 MHz Design Files

絞り込み

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AFV10700H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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AFV10700H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFV10700H S-Parameters

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