AFT09MS015N|16 W CW, 136-941 MHz, 12.5 V

製品
無線周波数
レガシーRF
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- AFT09MS031N
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- MRFX1K80N
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- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
AFT09MS015N

The AFT09MS015NT1 is designed for handheld two-way radio applications with frequencies from 136 to 941 MHz. The high gain, ruggedness and wideband performance of this device make it ideal for large-signal, common-source amplifier applications in handheld radio equipment.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Characterized for Operation from 136 to 941 MHz
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
Integrated ESD Protection
Integrated Stability Enhancements
Wideband — Full Power Across the Band
Exceptional Thermal Performance
Extreme Ruggedness
High Linearity for: TETRA, SSB
RoHS Compliant
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units, 16 mm Tape Width, 7-inch Reel.

Output or Driver Stage VHF Band Mobile Radio
Output or Driver Stage UHF Band Mobile Radio
Output or Driver Stage for 700-800 MHz Mobile Radio

RF Performance Tables

Narrowband Performance

(12.5 Vdc, I_DQ = 100 mA, T_A = 25°C, CW)

Frequency (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	Pout (W)
870⁽¹⁾	17.2	77.0	16

Wideband Performance

(12.5 Vdc, T_A = 25°C, CW)

Frequency (MHz)	Pin (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	Pout (W)
136-174	0.38	16.0	60.0	15
350-470	0.23	18.5	60.0	16
760-870⁽²⁾	0.32	16.8	52.3	15

Ruggedness, 870 MHz

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
870⁽¹⁾	CW	> 65:1 at all Phase Angles	0.5 (3 dB Overdrive)	17	No Device Degradation

1. Measured in 870 MHz narrowband test circuit.
2. Measured in 760-870 MHz UHF broadband reference circuit.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

データ・シート
AFT09MS015NT1 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

PDF改訂 1Jul 18, 2014814.9 KBAFT09MS015N
アプリケーション・ノート
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
アプリケーション・ノート
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
パッケージ情報
98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

PDF改訂 AFeb 15, 201655.3 KBSOT1811-2
ホワイト・ペーパ
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

PDF改訂 2Sep 24, 2015911.8 KBRFPLASTICWP

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 8 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
AFT09MS015N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00932.6 KBAFT09MS015N_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
AFT09MS015N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Apr 2, 2015 00:00:002.2 MBAFT09MS015N_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
AFT09MS015NT1 S-Parameters

S2P改訂 0May 13, 2014 00:00:0030.5 KBAFT09MS015N_SP

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プリント基板と回路図
AFT09MS015N 760-870 MHz Broadband PCB DXF file

ZIP改訂 0Feb 21, 2014 00:00:0018.2 KBAFT09MS015N_760_870_PCB

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プリント基板と回路図
AFT09MS015N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP改訂 1Feb 21, 2014 00:00:00360.8 KBAFT09MS015N_870NB_PCB

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電卓
AFT09MS015NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Feb 21, 2014 00:00:0029.0 KBAFT09MS015N_MTTF_CALC

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136-941 MHz, 16 W, 12.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

Narrowband Performance

Wideband Performance

Ruggedness, 870 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFT09MS015N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT09MS015N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT09MS015NT1 S-Parameters

AFT09MS015N 760-870 MHz Broadband PCB DXF file

AFT09MS015N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT09MS015NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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