MRF6V12250H|275 W Pulse, 960-1215 MHz, 50 V

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRF6V12250H

RF Power transistors, MRF6V12250HR3 and MRF6V12250HSR3, are designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. These devices are suitable for use in pulsed applications.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Typical Pulsed Performance: V_DD = 50 Volts, I_DQ = 100 mA, Pout = 275 Watts Peak (27.5 W Avg.), f = 1030 MHz, Pulse Width = 128 µsec, Duty Cycle = 10%
Power Gain: 20.3 dB
Drain Efficiency: 65.5%
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1030 MHz, 275 Watts Peak Power
Typical Broadband Performance: V_DD = 50 Volts, I_DQ = 100 mA, Pout = 250 Watts Peak (25 Watts Avg.), f = 960–1215 MHz, Pulse Width = 128 µsec, Duty Cycle = 10%
Power Gain: 19.8 dB
Drain Efficiency: 58%
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 50 V_DD Operation
Integrated ESD Protection
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 7 ドキュメント

データ・シート
MRF6V12250HR3, MRF6V12250HSR3 960-1215 MHz, 275 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

PDF改訂 2Apr 28, 20101.3 MBMRF6V12250H
アプリケーション・ノート
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
カタログ
RF Solutions for Commercial Aerospace

PDF改訂 2Sep 4, 20151.9 MBBR1608
エンジニアリング・ブリテン
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212
パッケージ情報
98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins

PDF改訂 HMar 22, 201644.1 KBSOT1792-1
パッケージ情報
98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins

PDF改訂 JMar 22, 201643.5 KBSOT1793-1
ホワイト・ペーパ
50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications

PDF改訂 4Sep 8, 2011965.1 KB50VRFLDMOSWP

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
MRF6V12250H, MRF6V12250HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00334.5 KBMRF6V12250H_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
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HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MRF6V12250H, MRF6V12250HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jul 22, 2011 00:00:00739.2 KBMRF6V12250H_MDL_AWR

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電卓
MRF6V12250HR3, MRF6V12250HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 1Apr 28, 2010 00:00:0041.0 KBMRF6V12250H_MTTF_CALC

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960-1215 MHz, 275 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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ドキュメント

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MRF6V12250H, MRF6V12250HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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MRF6V12250H, MRF6V12250HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF6V12250HR3, MRF6V12250HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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