MMRF1317H|1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V

These 1300 W RF power transistors, MMRF1317H and MMRF1317HS, are designed for applications operating at frequencies between 1020 and 1100 MHz. These devices are suitable for use in defense and commercial pulse applications, such as IFF and secondary surveillance radars.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Internally input and output matched for broadband operation and ease of use
Device can be used in a single-ended, push-pull, or quadrature configuration
High ruggedness,handles > 10:1 VSWR
Integrated ESD protection with greater negative voltage range for improved Class C operation and gate voltage pulsing
Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
RoHS Compliant

Ground-based secondary surveillance radars
IFF transponders

RF Performance Tables

Typical Performance

In 1030, 1090 MHz reference circuit, V_DD = 50 Vdc, I_DQ(A+B) = 100 mA

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
1030⁽¹⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	1300 Peak	18.9	56.0
1090⁽¹⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	1100 Peak	18.8	57.9

Typical Narrowband Performance

V_DD = 50 Vdc, I_DQ(A+B) = 100 mA

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
1030⁽²⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	1300 Peak	18.2	58.1

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
1030⁽²⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	> 10:1 at all Phase Angles	40 (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 1030, 1090 MHz reference circuit.
2. Measured in 1030 MHz narrowband test circuit.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 6 ドキュメント

データ・シート
MMRF1317H 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V Data Sheet

PDF改訂 0Mar 25, 2016866.6 KBMMRF1317H
アプリケーション・ノート
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
アプリケーション・ノート
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages

PDF改訂 1Feb 24, 2011664.6 KBAN1908
パッケージ情報
98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF改訂 HOct 25, 2019159.0 KBSOT1787-1
パッケージ情報
98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF改訂 HFeb 23, 201644.6 KBSOT1829-1
サポート情報
RF Military High Power Avionics Devices

PDF改訂 0Mar 25, 2016726.5 KBMILITARY_HIGH_POWER_RADAR_TRN_SI

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MMRF1317H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00202.3 KBMMRF1317H_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
MMRF1317H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Mar 25, 2016 00:00:00581.7 KBMMRF1317H_MDL_AWR

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プリント基板と回路図
MMRF1317H 1030-1090 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP改訂 0Sep 20, 2019 00:00:005.3 MBMMRF1317H-1030-1090-MHz-Reference-Circuit

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1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V RF Power LDMOS Transistors

製品詳細

Features

RF Performance Tables

Typical Performance

Typical Narrowband Performance

Load Mismatch/Ruggedness

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MMRF1317H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MMRF1317H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MMRF1317H 1030-1090 MHz Reference Circuit Design Files

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