MRFE6VP61K25GN 製品情報|NXP

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MRFE6VP61K25GN

NRND

MRFE6VP61K25GN

NRND

特徴

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V

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パッケージ

FM4: FM4, plastic, flange mount package; 4 terminals; 9.96 mm x 32.26 mm x 3.81 mm body

購入オプション

操作機能

パラメータ値
fi(RF) [max] (MHz)
600
Number of pins
4
Package Style
DFM
Amp Class
AB
Test Signal
Pulse
Supply Voltage (Typ) (V)
50
Class
AB
Die Technology
LDMOS
Thermal Resistance (Spec) (℃/W)
0.06
P1dB (Typ) (dBm)
61
Security Status
COMPANY PUBLIC
Frequency (Min-Max) (MHz)
1.8, 600
Efficiency (Typ) (%)
72.3
Peak Power (Typ) (W)
1600
Frequency Band (Hz)
1800000, 600000000
パラメータ値
Description
Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
fi(RF) [min] (MHz)
1.8
Output Power (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal
1250 @ Peak
P1dB (Typ) (W)
1250
Gain (Typ) (dB)
23
Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz)
23 @ 230
Frequency (Max) (MHz)
600
Frequency (Min) (MHz)
1.8
Frequency (Min-Max) (GHz)
0.0018000001 to 0.6
frange [max] (MHz)
600
frange [min] (MHz)
1.8
Rth(j-a) (K/W)
0.06
Matching
unmatched
Modes of Operation
pulsed radio frequency signal

環境

Part/12NC鉛フリーEU RoHSハロゲンフリーRHFインジケーター2次インターコネクトREACH SVHCWeight (mg)
MRFE6VP61K25GNR6(935315986528)
Yes
Yes
Certificate Of Analysis (CoA)
Yes
D
e3
REACH SVHC
5281.4

品質

Part/12NC安全保障機能安全吸湿感度レベル (MSL)Peak Package Body Temperature (PPT) (C°)Maximum Time at Peak Temperatures (s)
鉛フリーはんだ鉛フリーはんだ鉛フリーはんだ
MRFE6VP61K25GNR6
(935315986528)
No
3
260
40

配送

Part/12NC関税分類番号（米国)免責事項:輸出規制品目番号（米国）
MRFE6VP61K25GNR6
(935315986528)
854129
EAR99

製品変更のお知らせ

Part/12NC発行日有効期限PCNタイトル
MRFE6VP61K25GNR6
(935315986528)
2020-12-152020-12-16202011011INXP Will Add a Sealed Date to the Product Label

詳細 MRFE6VP61K25N

These high ruggedness devices, MRFE6VP61K25N and MRFE6VP61K25GN, are designed for use in high VSWR industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 600 MHz.