A5M39TG140は、最小のフットプリントで高い性能を必要とするワイヤレス・インフラストラクチャ・アプリケーション用に設計された、完全統合型ドハティ・パワー・アンプ・モジュールです。大規模なMIMOシステム、屋外スモール・セル、低消費電力リモート無線ヘッドなどのアプリケーションに最適です。実環境で実証されたLDMOSおよびGaN−on−SiCパワー・アンプであり、TDD LTEおよび5Gシステム用に設計されています。
標準LTE性能：Pout = 9 W平均、VDC1 = VDP1 = 5 Vdc、VDC2 = VDP2 = 48 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力信号PAR = 8 dB（CCDFの確率0.01%時）(1)
| 搬送波中心 周波数 |
利得 (dB) |
ACPR (dBc) |
PAE (%) |
| 3710 MHz | 32.6 | –32.4 | 46.4 |
| 3840 MHz | 32.7 | –32.8 | 46.6 |
| 3970 MHz | 32.3 | –32.7 | 46.4 |
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クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
2 設計・ファイル
完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.
