3300~3800 MHz、32 dB、9 W平均Airfast®パワー・アンプ・モジュール

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製品詳細

特長

  • ドライバとしてのLDMOS集積回路とGaNファイナル・ステージ・アンプを含む2ステージ・モジュール・ソリューション
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 完全整合(50Ω入力/出力、DCブロック)
  • 複雑さを抑えたデジタル線形化システム向けに設計
  • メモリ効果の低減によって線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • RoHS準拠

RF性能表

3300~3800 MHz

標準LTE性能:Pout = 9 W平均、VDC1 = VDP1 = 5 Vdc、VDC2 = VDP2 = 48 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力信号PAR = 8 dB(CCDFの確率0.01%時)(1)1. NXPのリファレンス回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

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