A6G35S006N | 2496～5000 MHz、28 dBm平均、48 V | NXP Semiconductors

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A6G35S006N 2496～5000 MHz、28 dBm平均、48 V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

A6G35S006N アクティブ

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このA6G35S006N 28 dBm平均、10 WピークのRFパワーGaNトランジスタは、2496～5000 MHzの周波数範囲を対象とするセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

製品詳細

特長

  • 高い端子インピーダンスによる最適な広帯域性能
  • 複雑性の低い線形化システム向けに設計
  • ユニバーサル広帯域ドライバ
  • 5G基地局用のマッシブMIMOアクティブアンテナ・システム向けに最適化

RF性能表

3500 MHz

シングルキャリアW-CDMAリファレンス回路での標準性能：VDD = 48 Vdc、IDQ = 18 mA、Pout = 28 dBm（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率） (1)

周波数 Gps
(dB) 		ηD
(%) 		出力PAR
(dB) 		ACPR
(dBc)
3300 MHz 21.1 18.5 9.9 -39.5
3400 MHz 21.1 19.0 9.8 -39.5
3500 MHz 21.0 19.7 9.7 -39.6
3600 MHz 20.6 20.2 9.6 -40.1
3670 MHz 20.4 20.7 9.5 -39.7

1. NXPのリファレンス回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

3900 MHz

シングルキャリアW-CDMAでの標準性能：VDD = 48 Vdc、IDQ = 18 mA、Pout = 28 dBm（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）(1)

周波数 Gps
(dB) 		ηD
(%) 		出力PAR
(dB) 		ACPR
(dBc)
3670 MHz 19.7 18.5 9.8 -43.1
3700 MHz 20.2 18.8 9.8 -42.8
3800 MHz 20.8 19.4 9.6 -44.0
3900 MHz 20.6 19.9 9.5 -44.3
4000 MHz 20.2 20.7 9.4 -44.2
4100 MHz 20.0 21.7 9.3 -44.8

1. 回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

4900 MHz

シングルキャリアW-CDMAでの標準性能：VDD = 48 Vdc、IDQ = 19 mA、Pout = 28 dBm（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）(1)

周波数 Gps
(dB) 		ηD
(%) 		出力PAR
(dB) 		ACPR
(dBc)
4800 MHz 17.5 17.2 9.3 -44.2
4900 MHz 18.0 17.5 8.7 -46.2
5000 MHz 17.7 17.3 8.6 -48.3

1. 回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

購入/パラメータ

1 結果

マッチしていない 0 NRND

パーツ

説明を表示

注文

コンピュータ支援設計 モデル

状況

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

ダイ技術

A6G35S006N
データ・シート

アクティブ

2496

5000

48

39.8

9.5

GaN

N true 0 PSPA6G35S006Nja 4 アプリケーション・ノート Application Note t789 2 データ・シート Data Sheet t520 1 ファクト・シート Fact Sheet t523 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 2 English A6G35S006N 2496–5000 MHz, 28 dBm Avg., 48 V Airfast® RF power GaN transistor for cellular base stations 1736879806237725498448 PSP 440.6 KB None None documents None 1736879806237725498448 /docs/en/data-sheet/A6G35S006N.pdf 440580 /docs/en/data-sheet/A6G35S006N.pdf A6G35S006N documents N N 2025-01-14 A6G35S006N 2496–5000 MHz, 28 dBm Avg, 48 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A6G35S006N.pdf /docs/en/data-sheet/A6G35S006N.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2025-02-18 pdf N en Jan 13, 2025 980000996212993340 Data Sheet Y N A6G35S006N 2496–5000 MHz, 28 dBm Avg, 48 V Data Sheet アプリケーション・ノート Application Note 2 2 2 English This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. 1075398872032723970051 PSP 235.5 KB None None documents None 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 235468 /docs/en/application-note/AN1955.pdf AN1955 documents N N 2016-11-09 Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf /docs/en/application-note/AN1955.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en Jul 11, 2024 645036621402383989 Application Note Y N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 3 3 English I989356375600 PSP 910.7 KB None None documents None I989356375600 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 910737 /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 documents N N 2016-11-09 AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf /docs/en/application-note/AN1907.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en May 13, 2009 645036621402383989 Application Note Y N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages ファクト・シート Fact Sheet 1 4 1 English NXP’s extensive portfolio of RF power solutions for active antenna systems (AAS) includes GaN discrete mMIMO solutions for 64T64R and 32T32R solutions. 1648159440615726957303 PSP 1.2 MB None None documents None 1648159440615726957303 /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf 1174719 /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf DMS5G3264FS documents N N 2022-03-24 GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf Fact Sheet N 736675474163315314 2025-01-28 pdf N en Dec 3, 2024 736675474163315314 Fact Sheet Y N GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet false 0 A6G35S006N downloads ja true 1 Y PSP アプリケーション・ノート 2 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 2016-11-09 1075398872032723970051 PSP 2 Jul 11, 2024 Application Note This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. None /docs/en/application-note/AN1955.pdf English documents 235468 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1955.pdf Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 2 N N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 235.5 KB AN1955 N 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 2016-11-09 I989356375600 PSP 3 May 13, 2009 Application Note None /docs/en/application-note/AN1907.pdf English documents 910737 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 3 N N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages 910.7 KB AN1907 N I989356375600 データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/A6G35S006N.pdf 2025-01-14 1736879806237725498448 PSP 1 Jan 13, 2025 Data Sheet A6G35S006N 2496–5000 MHz, 28 dBm Avg., 48 V Airfast® RF power GaN transistor for cellular base stations None /docs/en/data-sheet/A6G35S006N.pdf English documents 440580 None 980000996212993340 2025-02-18 N /docs/en/data-sheet/A6G35S006N.pdf A6G35S006N 2496–5000 MHz, 28 dBm Avg, 48 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A6G35S006N.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 2 N N A6G35S006N 2496–5000 MHz, 28 dBm Avg, 48 V Data Sheet 440.6 KB A6G35S006N N 1736879806237725498448 ファクト・シート 1 /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf 2022-03-24 1648159440615726957303 PSP 4 Dec 3, 2024 Fact Sheet NXP’s extensive portfolio of RF power solutions for active antenna systems (AAS) includes GaN discrete mMIMO solutions for 64T64R and 32T32R solutions. None /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf English documents 1174719 None 736675474163315314 2025-01-28 N /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet /docs/en/fact-sheet/DMS5G3264FS.pdf documents 736675474163315314 Fact Sheet N en None Y pdf 1 N N GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet 1.2 MB DMS5G3264FS N 1648159440615726957303 true Y Products

ドキュメント

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4 ドキュメント

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フィルタ

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