GD3160 | SiC MOSFET向けの高度なシングルチャネル・ゲート・ドライバ | NXP Semiconductors

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SiC MOSFET用のセグメント化ドライブを備えた高度な高電圧絶縁ゲート・ドライバ

GD3160
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GD3160は、炭化ケイ素 (SiC) MOSFETの駆動と保護および機能安全のために機能が強化された、改良型の高度なシングルチャネル高電圧絶縁ゲート・ドライバです。

GD3160は、SPIを介してプログラム可能な駆動、保護、およびフォルト・レポート機能を備えているため、ユーザーはほぼすべてのSiC MOSFETまたはSi IGBTパワー・スイッチの駆動および保護条件を最適化できます。

GD3160はISO 26262準拠かつ車載認定済みで、BOMコストの削減と機能安全に対応する機能を統合しており、ASIL Dに準拠した電力密度の高いxEVインバーター・ソリューションの実現をサポートします。

ブロック図

SiC MOSFET用のセグメント化ドライブを備えた高度な高電圧絶縁ゲート・ドライバ

GD3160 Block Diagram
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特長

主な特長

  • HV絶縁IGBTおよびSiCシングル・ゲート・ドライバICデバイス機能
  • 負荷電流 (IL)：15 A（標準）
  • シングル・チャネル
  • ドレイン–ソース間オン抵抗500 mΩ RDS(ON)（標準）
  • 負荷供給電圧：最小-12 V、最大25 V
  • 供給電圧：最小4.5 V、最大40 V
  • 動作温度範囲（周囲）：-40～125°C
  • PWM/SPIインターフェースおよび入力コントローラ

動作

  • ±15 A分割出力対応のゲート電流駆動
  • プログラム可能なHV VCCレギュレータ出力：14 V～21 V（1 V刻み）
  • 最大VCC出力電圧：23 V

保護

  • NTCサーミスタまたはダイオード・センサ用のHV温度検知 (TSENSE) を内蔵、オフセットとゲインをプログラム可能
  • より迅速なVCE DeSat検出および応答時間：1.2 μs未満 (SiC)
  • PWMのデッドタイム範囲の改善によるスイッチング損失の削減 (SiC)
  • プログラム可能な2段階ターンオフ (2LTO) とソフト・シャットダウン (SSD)

機能安全

  • 追加のプログラマブル・フォルト・ピン (INTA)
  • HVフォルト・マネジメント (FSISO) を内蔵
  • プログラム可能なVCE出力監視

絶縁

  • 最小コモン・モード過渡耐性 (CMTI) 100 V/ns超
  • UL1577に準拠した5,000 Vrmsのガルバニック絶縁（計画）

購入/パラメータ

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None /docs/en/fact-sheet/GD3160FSA4.pdf English documents 381230 None 736675474163315314 2022-12-07 N /docs/en/fact-sheet/GD3160FSA4.pdf GD3160, Advanced High Voltage Gate Driver with Integrated Isolation – Fact Sheet /docs/en/fact-sheet/GD3160FSA4.pdf documents 736675474163315314 Fact Sheet N en None Y pdf 1 N N GD3160, Advanced High Voltage Gate Driver with Integrated Isolation – Fact Sheet 381.2 KB GD3160FSA4 N 1645115104086697959762 ホワイト・ペーパ 1 /secured/assets/documents/en/white-paper/HITACHI-NXP-WP.pdf 2022-05-12 1652389996881711877409 PSP 4 Aug 29, 2022 White Paper Grow your knowledge about how the gate wave shaping feature included in the NXP GD3160 advance gate driver demonstrated on a Hitachi RoadPak SiC MOSFET module. Registration without Disclaimer /secured/assets/documents/en/white-paper/HITACHI-NXP-WP.pdf English documents 966295 None 918633085541740938 2023-06-18 Y /webapp/Download?colCode=HITACHI-NXP-WP&lang_cd=ja Optimize EV Efficiency Using Hitachi Energy's Roadpak SIC Power Modules and NXP GD3160 /secured/assets/documents/en/white-paper/HITACHI-NXP-WP.pdf documents 918633085541740938 White Paper N en Extended Y pdf 3 Y N Optimize EV Efficiency Using Hitachi Energy's Roadpak SIC Power Modules and NXP GD3160 966.3 KB HITACHI-NXP-WP N 1652389996881711877409 true Y Products

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