長期製品供給
対象製品には最低10年間の製品供給サポートが適用されます。自動車、通信、医療の各セグメント向けに開発された指定対象製品については、最低15年間の製品供給が保証されます。
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GD3160シリコンおよびイネーブルメント(ドキュメント、ソフトウェア、およびボード)は、限られたお客様のみご利用いただけます(NDAが必要です)。詳しい情報やサンプルの供給状況については、サポートまたは営業担当者にお問い合わせください。
GD3160は、炭化ケイ素 (SiC) MOSFETの駆動と保護および機能安全のために機能が強化された、改良型の高度なシングルチャネル高電圧絶縁ゲート・ドライバです。
GD3160は、SPIを介してプログラム可能な駆動、保護、およびフォルト・レポート機能を備えているため、ユーザーはほぼすべてのSiC MOSFETまたはSi IGBTパワー・スイッチの駆動および保護条件を最適化できます。
GD3160はISO 26262準拠かつ車載認定済みで、BOMコストの削減と機能安全に対応する機能を統合しており、ASIL Dに準拠した電力密度の高いxEVインバーター・ソリューションの実現をサポートします。
対象製品には最低10年間の製品供給サポートが適用されます。自動車、通信、医療の各セグメント向けに開発された指定対象製品については、最低15年間の製品供給が保証されます。
Advanced High Voltage Isolated Gate Driver for IGBT and SiC MOSFETs
MPC5775B and MPC5775E Microcontrollers for Battery Management Systems (BMS) and Inverter Applications
4 結果
マッチしていない 0 NRND
パーツ | 注文 | コンピュータ支援設計 モデル | 状況 | 製品機能 | Logic Level (V) | パッケージタイプ | パッケージ端子数 | 標準価格 | Frequency (Max) (kHz) | Load Current (IL) [TYP] (A) | チャネル数 | 保護 | Drain-to-Source On Resistance (Typ) (mOhm) (RDS(ON)) | 負荷電源電圧(最小)(V) | 負荷電源電圧(最大)(V) | 電源電圧 [最小] (V) | 電源電圧 [最大] (V) | インターフェースと入力制御 | SPI [bits] | Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃) | ASIL Certification |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
アクティブ | HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC | 3.3 | SSOP32 | 32 | 1K @ US$4.47 | 100 | 15 | 1 | desaturation, overtemperature, real time monitor, segmented drive, short-circuit, two-level turn off, undervoltage | 500 | -12 | 25 | 4.5 | 40 | SPI / PWM | 24 | -40 to 125 | up to ASIL D | |||
アクティブ | HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC | 3.3 | SSOP32 | 32 | 1K @ US$4.47 | 100 | 15 | 1 | desaturation, overtemperature, real time monitor, segmented drive, short-circuit, two-level turn off, undervoltage | 500 | -12 | 25 | 4.5 | 40 | SPI / PWM | 24 | -40 to 125 | up to ASIL D | |||
アクティブ | HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC | 5 | SSOP32 | 32 | 1K @ US$4.47 | 100 | 15 | 1 | desaturation, overtemperature, real time monitor, segmented drive, short-circuit, two-level turn off, undervoltage | 500 | -12 | 25 | 4.75 | 40 | SPI / PWM | 24 | -40 to 125 | up to ASIL D | |||
アクティブ | HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC | 5 | SSOP32 | 32 | 1K @ US$4.47 | 100 | 15 | 1 | desaturation, overtemperature, real time monitor, segmented drive, short-circuit, two-level turn off, undervoltage | 500 | -12 | 25 | 4.75 | 40 | SPI / PWM | 24 | -40 to 125 | up to ASIL D |
GD3160
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