SiC MOSFET用のセグメント化ドライブを備えた高度な高電圧絶縁ゲート・ドライバ

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ブロック図

SiC MOSFET用のセグメント化ドライブを備えた高度な高電圧絶縁ゲート・ドライバ

GD3160 Block Diagram

特長

主な特長

  • HV絶縁IGBTおよびSiCシングル・ゲート・ドライバICデバイス機能
  • 負荷電流 (IL):15 A(標準)
  • シングル・チャネル
  • ドレイン–ソース間オン抵抗500 mΩ RDS(ON)(標準)
  • 負荷供給電圧:最小-12 V、最大25 V
  • 供給電圧:最小4.5 V、最大40 V
  • 動作温度範囲(周囲):-40~125°C
  • PWM/SPIインターフェースおよび入力コントローラ

動作

  • ±15 A分割出力対応のゲート電流駆動
  • プログラム可能なHV VCCレギュレータ出力:14 V~21 V(1 V刻み)
  • 最大VCC出力電圧:23 V

保護

  • NTCサーミスタまたはダイオード・センサ用のHV温度検知 (TSENSE) を内蔵、オフセットとゲインをプログラム可能
  • より迅速なVCE DeSat検出および応答時間:1.2 μs未満 (SiC)
  • PWMのデッドタイム範囲の改善によるスイッチング損失の削減 (SiC)
  • プログラム可能な2段階ターンオフ (2LTO) とソフト・シャットダウン (SSD)

機能安全

  • 追加のプログラマブル・フォルト・ピン (INTA)
  • HVフォルト・マネジメント (FSISO) を内蔵
  • プログラム可能なVCE出力監視

絶縁

  • 最小コモン・モード過渡耐性 (CMTI) 100 V/ns超
  • UL1577に準拠した5,000 Vrmsのガルバニック絶縁(計画)

長期製品供給プログラム

  • この製品は、お客様の組込み設計に使用される製品の安定供給を保証するNXP長期製品供給プログラムの対象となっています。GD3160は15年間のプログラムの対象です。

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

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