Advanced High Voltage Isolated Gate Driver for IGBT and SiC MOSFETs
お客様の素早い設計とより早い製品化を実現する、技術情報と専門知識をご紹介します。
GD3160シリコンおよびイネーブルメント(ドキュメント、ソフトウェア、およびボード)は、限られたお客様のみご利用いただけます(NDAが必要です)。詳しい情報やサンプルの供給状況については、サポートまたは営業担当者にお問い合わせください。
GD3160は、炭化ケイ素 (SiC) MOSFETの駆動と保護および機能安全のために機能が強化された、改良型の高度なシングルチャネル高電圧絶縁ゲート・ドライバです。
GD3160は、SPIを介してプログラム可能な駆動、保護、およびフォルト・レポート機能を備えているため、ユーザーはほぼすべてのSiC MOSFETまたはSi IGBTパワー・スイッチの駆動および保護条件を最適化できます。
GD3160はISO 26262準拠かつ車載認定済みで、BOMコストの削減と機能安全に対応する機能を統合しており、ASIL Dに準拠した電力密度の高いxEVインバーター・ソリューションの実現をサポートします。
Advanced High Voltage Isolated Gate Driver for IGBT and SiC MOSFETs
MPC5775B and MPC5775E Microcontrollers for Battery Management Systems (BMS) and Inverter Applications
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4 ドキュメント
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