A3I35D025WN|3200～4000 MHz、3.4 W（平均）、28 V | NXP Semiconductors

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3200～4000 MHz、3.4 W（平均）、28 V Airfast®広帯域統合RF LDMOSアンプ

A3I35D025WN
NRND
A3I35D025WN広帯域集積回路は、非常に広い瞬時帯域幅を必要とする移動体通信基地局アプリケーション向けに設計されています。この回路はオンチップ・マッチングにより、3200～4000 MHzの範囲で使用可能です。20〜32Vでの動作を定格とするマルチステージ構造で、すべての標準的な移動体通信基地局の変調形式に対応します。

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製品詳細

特長

  • 広い瞬時帯域幅のアプリケーション向けに設計
  • オンチップ・マッチング（50Ω入力、DCブロック）
  • オン/オフ可能なIdq温度補償回路内蔵
  • デジタル・プリディストーション誤り訂正システムに対応
  • ドハティ・アプリケーション向けに最適化
  • RoHS準拠

RF性能表

3500 MHz

シングルキャリアW-CDMAでの標準性能：VDD = 28 Vdc、IDQ1(A+B) = 72 mA、IDQ2(A+B) = 260 mA、Pout = 3.4 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）(1)
周波数 Gps
(dB)		 PAE
(%)		 ACPR
(dBc)
3400 MHz28.516.5-46.5
3500 MHz28.817.0-46.3
3600 MHz28.917.3-46.1
3700 MHz28.717.7-46.4
3800 MHz28.517.9-46.2
1. デバイスをヒート・シンクにはんだ付けした状態での計測データです。

購入/パラメータ

2 結果

除外 2 NRND

パーツ

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注文

コンピュータ支援設計 モデル

状況

A3I35D025WGN
データ・シート

新規採用非推奨

A3I35D025WN
データ・シート

新規採用非推奨

N true 0 PSPA3I35D025WNja 4 エンジニアリング・ブリテン Technical Notes t521 1 データ・シート Data Sheet t520 1 パッケージ情報 Package Information t790 2 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 0 English A3I35D025WN 3200-4000 MHz, 3.4 W Avg, 28 V Airfast<sup>&reg;</sup> wideband integrated RFIC power amplifier for cellular base stations 1528772875293722930243 PSP 711.8 KB None None documents None 1528772875293722930243 /docs/en/data-sheet/A3I35D025WN.pdf 711766 /docs/en/data-sheet/A3I35D025WN.pdf A3I35D025WN documents N N 2018-06-11 A3I35D025WN 3200-4000 MHz, 3.4 W Avg, 28 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A3I35D025WN.pdf /docs/en/data-sheet/A3I35D025WN.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2022-12-07 pdf N en Jun 11, 2018 980000996212993340 Data Sheet Y N A3I35D025WN 3200-4000 MHz, 3.4 W Avg, 28 V Data Sheet エンジニアリング・ブリテン Technical Notes 1 2 0 English This document explains the format used by NXP<sup>&#174;</sup> for presenting LDMOS impedance information for both single-ended and push-pull devices on RF Power datasheets. 1074535848819727693421 PSP 171.0 KB None None documents None 1074535848819727693421 /docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf 170979 /docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf EB212 documents N N 2016-11-09 Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices /docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf /docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf Technical Notes N 389245547230346745 2024-09-13 pdf N en Jan 19, 2004 389245547230346745 Technical Notes Y N Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices パッケージ情報 Package Information 2 3 B English 98ASA00583D, TO-270WB-17 1427423269558736551615 PSP 86.9 KB None None documents None 1427423269558736551615 /docs/en/package-information/98ASA00583D.pdf 86910 /docs/en/package-information/98ASA00583D.pdf SOT1730-1 documents N N 2016-10-31 98ASA00583D, TO-270WB-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 9.02, 18 Pins /docs/en/package-information/98ASA00583D.pdf /docs/en/package-information/98ASA00583D.pdf Package Information N 302435339416912908 2022-12-07 pdf N en Jan 22, 2016 302435339416912908 Package Information D N 98ASA00583D, TO-270WB-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 9.02, 18 Pins 4 B English 98ASA00729D, TO-270WBG-17 1427423270227715980928 PSP 88.0 KB None None documents None 1427423270227715980928 /docs/en/package-information/98ASA00729D.pdf 87977 /docs/en/package-information/98ASA00729D.pdf SOT1730-2 documents N N 2016-10-31 98ASA00729D, TO-270WBG-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 18 Pins /docs/en/package-information/98ASA00729D.pdf /docs/en/package-information/98ASA00729D.pdf Package Information N 302435339416912908 2022-12-07 pdf N en Jan 18, 2016 302435339416912908 Package Information D N 98ASA00729D, TO-270WBG-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 18 Pins false 0 A3I35D025WN downloads ja true 1 Y PSP エンジニアリング・ブリテン 1 /docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf 2016-11-09 1074535848819727693421 PSP 2 Jan 19, 2004 Technical Notes This document explains the format used by NXP<sup>&#174;</sup> for presenting LDMOS impedance information for both single-ended and push-pull devices on RF Power datasheets. 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ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

4 ドキュメント

コンパクトリスト

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フィルタ

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